Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
Number modelo:MJD112T4G
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8600pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
DPAK para los usos superficiales del soporte
TRANSISTORES DE PODER DEL SILICIO
2 AMPERIOS
100 VOLTIOS
20 VATIOS
Diseñado para el poder de fines generales y cambiar tal como etapas de la salida o de conductor en usos tales como recortes reguladores, convertidores, y amplificadores de potencia.
Características
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
• Ventaja formada para los usos superficiales del soporte en las fundas plásticas (ningún sufijo)
• Versión recta de la ventaja en las fundas plásticas (sufijo “−1”)
• Versión formada ventaja en la cinta y el carrete (“T4” y sufijo de “de 16 milímetros RL”)
• Eléctricamente similar a la serie popular TIP31 y TIP32
GRADOS MÁXIMOS
| Grado | Símbolo | Máximo | Unidad |
| Voltaje de Collector−Emitter | VCEO | 100 | VDC |
| Voltaje de Collector−Base | VCB | 100 | VDC |
| Voltaje de Emitter−Base | VEB | 5 | VDC |
− de la corriente de colector continuo Pico | IC | 2 4 | ADC |
| Corriente baja | IB | 50 | mAdc |
Disipación de poder total @ TC = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 20 0,16 | W W/°C |
Poder total Dissipation* @ TA = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | Paladio | 1,75 0,014 | W W/°C |
| Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | TJ, Tstg | −65 a +150 | °C |
Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
DIAGRAMAS DE MARCADO
DIMENSIONES DEL PAQUETE
DPAK
CASO 369C
PROBLEMA O
DPAK−3
CASO 369D−01
PROBLEMA B
Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
Carro de la investigación
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