SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)
Number modelo:SI7336ADP-T1-E3
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET del canal N 30-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• disponible Halógeno-libre
• En-resistencia ultrabaja usando GEN de alta densidad II de TrenchFET® Tecnología del MOSFET del poder
•Qg optimizó
• Nuevo paquete bajo de PowerPAK® de la resistencia termal con punto bajo perfil de 1,07 milímetros
• El 100% Rg probado
• El 100% UIS probado
USOS
• Conversión del Bajo-lado DC/DC
- Cuaderno
- Servidor
- Puesto de trabajo
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente
| Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 30 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ± 20 | |
Corriente continua del dren (TJ = °C 150) a TA = °C 25 TA = °C 70 | Identificación | 30 25 | |
| Corriente pulsada del dren (anchura de pulso de 10 µs) | IDM | 70 | |
| Corriente de fuente continua (conducción) del diodo a | ES | 4,5 | |
| Corriente de la avalancha L = 0,1 Mh | IAS | 50 | |
Poder máximo Dissipationa TA = °C 25 TA = °C 70 | Paladio | 5,4 3,4 | W |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | - 55 a 150 | °C |
| Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) b, c | 260 |
LISTA COMÚN
| LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | DIP-24 |
| PCA82C250T | 11860 | 16+ | COMPENSACIÓN | |
| P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | TO-220 |
| PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | MICROCHIP | 15+ | TQFP-100 |
| MC7805CDTRK | 10000 | EN | 16+ | BORRACHÍN |
| LM4755T | 975 | NSC | 14+ | TO-263 |
| M93C06-MN6T | 10000 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
| NAND128W3A2BN6E | 5680 | ST | 16+ | TSOP |
| PMEG3005EH | 25000 | 15+ | SOD-123 | |
| LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | ZIP-10 |
| BTB24-600BWR | 3389 | ST | 14+ | TO-220 |
| PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
| LTC4252-2IMS | 6402 | LINEAR | 15+ | MSOP-10 |
| LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | SIP-12 |
| PN100 | 5000 | FSC | 16+ | TO-92 |
| MAT01GH | 2200 | ANUNCIO | 15+ | PODER |
| MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | INMERSIÓN |
| ATXMEGA64A3-AU | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
| ATXMEGA64A1-AU | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
| LM2841XMKX-ADJ | 3000 | TI | 14+ | TSOT-23-6 |
| LTC2250CUH | 1655 | LINEAR | 14+ | QFN |
| P1014AP06 | 8580 | EN | 16+ | INMERSIÓN |
| ZTX550STOA | 3000 | ZETEX | 12+ | TO-92 |
| MIC29301-5.0BU | 6424 | MICREL | 16+ | TO-263 |
| ML4800CP | 11000 | FAIRCHILD | 16+ | INMERSIÓN |
| LTC1257CS8 | 15098 | LINEAR | 16+ | COMPENSACIÓN |
| NBB-500 | 6480 | RFMD | 15+ | SMT |
| M51207L | 3438 | MIT | 15+ | SORBO |
| M54525P | 3269 | MIT | 16+ | INMERSIÓN |
| MCP3208-CI/SL | 5296 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PTH08T240WAD | 500 | TI | 14+ | INMERSIÓN |
| MAX9602EUG | 2603 | MÁXIMA | 14+ | TSSOP |
| OP184ES | 5920 | ANUNCIO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LMP8640MKE-F/NOPB | 3853 | TI | 15+ | SOT-6 |
| LT6350IMS8 | 4990 | LINEAR | 15+ | MSOP |
| LTC3612EFE | 6649 | LINEAR | 16+ | TSSOP |
| PM7226HP | 800 | ADI | 08+ | DIP-20 |
| LM833MM | 3896 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| PGH1008AM | 1370 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
| NCP1337DR2G | 10960 | EN | 16+ | SOP-7 |
| NCP1203D60R2G | 10720 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
| ZXMP3A17E6TA | 6000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| MAX3083ESD | 9400 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
| NFE61PT102E1H9L | 10000 | MURATA | 16+ | SMD |
| ZXMN3A03E6TA | 9000 | ZETEX | 15+ | SOT23-6 |
| LM2937ES-5.0 | 6354 | NSC | 14+ | TO-263 |
| OB3316QPA | 5680 | ON-BRIGHT | 16+ | COMPENSACIÓN |
| 151007 | 310 | HITACHI | 10+ | SOP-20 |
SI7336ADP-T1-E3 mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja del MOSFET del canal N 30-V (D-S)
Carro de la investigación
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