MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A
Number modelo:IRFP260NPBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9200pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del poder de IRFP260NPbF HEXFET®
• ¿Tecnología de proceso avanzada?
• ¿Grado dinámico de dv/dt?
• ¿temperatura de funcionamiento 175°C?
• ¿Transferencia rápida?
• ¿Completamente avalancha clasificada?
• ¿Facilidad de ser paralelo a?
• Requisitos simples de la impulsión
• Sin plomo
Descripción
La quinta generación HEXFETs del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje aislado.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
|---|---|---|---|
| Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 50 | |
| Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 35 | |
| IDM | Corriente pulsada del dren | 200 | |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 300 | |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 2,0 | W/°C | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
| EAS | Sola energía de la avalancha del pulso | 560 | mJ |
| IAR | ¿Corriente de la avalancha? | 50 | |
| OÍDO | ¿Energía repetidor de la avalancha? | 30 | mJ |
| dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo | 10 | V/ns |
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -55 a +175 | °C |
| Temperatura que suelda, por 10 segundos | 300 (1.6m m de caso) | °C | |
| Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el srew M3 | lbfïin 10 (el 1.1Nïm) |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| LM2662MX | 5344 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LM2663M | 6856 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-5.0 | 5274 | TI | 16+ | SOP-8 |
| LM2675MX-ADJ | 5415 | TI | 15+ | SOP-8 |
| LM2734YMK | 12799 | TI | 16+ | SOT23-6 |
| LM2767M5X | 6927 | NSC | 16+ | SOT23-5 |
| LM2825N-ADJ | 1525 | NSC | 06+ | DIP-24 |
| LM2842YMK-ADJL | 4655 | TI | 16+ | SOT23-6 |
| LM285MX-1.2 | 5929 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LM2901DR2G | 104000 | EN | 13+ | COMPENSACIÓN |
| LM2902DR2G | 77000 | EN | 15+ | COMPENSACIÓN |
| LM2903DR2G | 107000 | EN | 15+ | COMPENSACIÓN |
| LM2903IMX | 13191 | FSC | 11+ | SOP-8 |
| LM2904DR2G | 82000 | EN | 16+ | SOP-8 |
| LM2904MX | 11700 | NS | 15+ | SOP-8 |
| LM2904P | 20000 | TI | 16+ | TSSOP-8 |
| LM2904QPWRQ1 | 6065 | TI | 14+ | TSSOP-8 |
| LM2907N-8 | 8781 | NS | 97+ | DIP-8 |
| LM2917N-8 | 6580 | NS | 13+ | DIP-8 |
| LM2931AD-5.0R2G | 19723 | EN | 16+ | SOP-8 |
| LM2931CDR2G | 14829 | EN | 16+ | SOP-8 |
| LM2931CDR2G | 10000 | EN | 15+ | SOP-8 |
| LM2936MPX-3.3 | 9351 | TI | 14+ | SOT-223 |
| LM2936Z-5.0 | 3406 | NS | 05+ | TO-92 |
| LM2937ESX-3.3 | 9135 | NSC | 07+ | TO-263 |
| LM2937IMPX-3.3 | 1862 | TI | 16+ | SOT-223 |
| LM2940CSX-5.0 | 8095 | NS | 14+ | TO-263 |
| LM2940S-5.0 | 10367 | NS | 16+ | TO-263 |
| LM2940SX-5.0 | 8852 | NS | 15+ | TO-263 |
| LM2941CT | 5900 | NS | 00+ | TO-220 |
MOSFET rápido IRFP260NPBF del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia 200A
Carro de la investigación
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