Transistor S-IGBT rápido del Mosfet del poder SGP02N120 en NPT-tecnología
Number modelo:SGP02N120
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8300pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto
SGP02N120, SGB02N120, SGD02N120
S-IGBT rápido en NPT-tecnología
• el 40% un Eoff más bajo comparado a la generación anterior
• El cortocircuito soporta el tiempo – 10 µs
• Diseñado para:
- Controles de motor
- Inversor
- SMPS
• Ofertas de la NPT-tecnología:
- muy firmemente distribución del parámetro
- alta aspereza, comportamiento estable de la temperatura
- capacidad que cambia paralela
Grados máximos
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| voltaje del Colector-emisor | VCE | 1200 | V |
Corriente de colector de DC TC = 25°C TC = 100°C | IC | 6,2 2,8 | |
| La corriente de colector pulsada, tp limitó por Tjmax | ICpuls | 9,6 | |
| Apague el ≤ 1200V, ≤ 150°C del área de funcionamiento seguro VCE de Tj | 9,6 | ||
| voltaje del Puerta-emisor | VGE | ±20 | V |
| Energía de la avalancha, solo pulso IC = 2A, VCC = 50V, RGE = 25Ω, comienzo en Tj = 25°C | EAS | 10 | mJ |
| El cortocircuito soporta el tiempo1) VGE = 15V, 100V ≤ 1200V, ≤ 150°C del ≤ VCC de Tj | CAC | 10 | µs |
| Disipación de poder TC = 25°C | Ptot | 62 | W |
| Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | Tj, Tstg | -55… +150 | °C |
| Temperatura que suelda, 1.6m m (0,063 adentro.) del caso para 10s | 260 | °C |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| MCIMX535DVV1C | 1066 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| MCIMX6S7CVM08AC | 769 | FREESCALE | 16+ | BGA |
| MCP100T-270I/TT | 68000 | MICROCHIP | 15+ | SOT23-3 |
| MCP100T-315I/TT | 57000 | MICROCHIP | 16+ | SOT23-5 |
| MCP100T-450I/TT | 58000 | MICROCHIP | 10+ | SOT23-3 |
| MCP120T-315I/TT | 24000 | MICROCHIP | 14+ | SOT-23 |
| MCP1252-33X50I/MS | 6935 | MICROCHIP | 16+ | MSOP |
| MCP1525T-I/TT | 22350 | MICROCHIP | 14+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-1802E/MB | 11219 | MICROCHIP | 16+ | SOT-89 |
| MCP1700T-1802E/TT | 17041 | MICROCHIP | 06+ | SOT23-3 |
| MCP1700T-3302E/MB | 14911 | MICROCHIP | 09+ | SOT-89 |
| MCP1700T-3302E/TT | 87000 | MICROCHIP | 12+ | SOT-23 |
| MCP1700T-5002E/TT | 6249 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| MCP1702T-3302E/MB | 8308 | MICROCHIP | 13+ | SOT-89 |
| MCP1703T-5002E/DB | 6320 | MICROCHIP | 13+ | SOT-223 |
| MCP1825ST-3302E/DB | 5514 | MICROCHIP | 16+ | SOT-223 |
| MCP1826T-3302E/DC | 6845 | MICROCHIP | 15+ | SOT223-5 |
| MCP2122-E/SN | 7708 | MICROCHIP | 13+ | SOP-8 |
| MCP23S17-E/SO | 8974 | MICROCHIP | 15+ | SOP-28 |
| MCP2551-I/SN | 7779 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP2551T-E/SN | 3957 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5841 | MICROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| MCP3202-CI/SN | 5770 | MICROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| MCP3208-CI/P | 8740 | MICROCHIP | 15+ | INMERSIÓN |
| MCP3421AOT-E/CH | 12828 | MICROCHIP | 16+ | SOT23-6 |
| MCP3422AO-E/SN | 3875 | MICROCHIP | 10+ | SOP-8 |
| MCP3424-E/SL | 8273 | MICROCHIP | 16+ | SOP-14 |
| MCP3551-E/SN | 7817 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
| MCP41050T-I/SN | 4450 | MICROCHIP | 11+ | SOP-8 |
| MCP41100-I/SN | 3572 | MICROCHIP | 15+ | SOP-8 |
| MCP42010-I/P | 12118 | MICROCHIP | 16+ | DIP-14 |
| MCP4725AOT-E/CH | 6616 | MICROCHIP | 15+ | SOT23-5 |
| MCP4728AOT-E/UN | 4184 | MICROCHIP | 12+ | MSOP |
Transistor S-IGBT rápido del Mosfet del poder SGP02N120 en NPT-tecnología
Carro de la investigación
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