Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder FQP50N06
Number modelo:FQP50N06
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:7800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| SN74HC00DR | 4211 | TI | 15+ | SOP14 |
| NDS9956A | 4215 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| MC33202DR2G | 4227 | EN | 16+ | SOP8 |
| ICE2B265 | 4250 | 14+ | DIP-8 | |
| SS32-E3/57T | 4250 | VISHAY | 14+ | DO214 |
| SI3867 | 4258 | VISHAY | 14+ | SOT-163 |
| APM4953 | 4275 | APM | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-5.0 | 4288 | NS | 16+ | SOT223 |
| 3224W-1-103E | 4300 | BOURNS | 13+ | SMD |
| TNY276GN | 4300 | PODER | 15+ | SOP-7 |
| MIC5235-1.8YM5 | 4300 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
| HCF4052BEY | 4399 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| M82C51A-2 | 4400 | OKI | 14+ | INMERSIÓN |
| MUR1620CTRG | 4400 | EN | 14+ | TO-220 |
| IRF7329 | 4412 | IR | 14+ | SOP-8 |
| HSMP-3816 | 4433 | AVAGO | 16+ | SOT153 |
| SMDJ54CA | 4440 | LITTELFUS | 16+ | SMD |
| GP1A51HR | 4444 | SOSTENIDO | 13+ | DIP-4 |
| P2804BDG | 4444 | NIKO | 15+ | TO252 |
| AP9962GH | 4450 | AP | 16+ | TO-252 |
| AD1955ARSZ | 4457 | ANUNCIO | 16+ | SSOP-28 |
| AMS1083CT-3.3 | 4470 | AMS | 14+ | TO-220 |
| 1N4747A | 4500 | ST | 14+ | DO-41 |
| FDB8447L | 4500 | FSC | 14+ | TO-263 |
| INA118P | 4500 | TI | 16+ | DIP-8 |
| IRFR9024NTRPBF | 4500 | IR | 16+ | TO-252 |
| NL17SZ06 | 4500 | EN | 13+ | SOT553 |
| Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
| STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
| TDA2050 | 4500 | ST | 16+ | CREMALLERA |
FQP50N06L
MOSFET del canal N de la LÓGICA 60V
Descripción general
Estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, raya planar, tecnología de DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, proporcionar funcionamiento que cambiaba superior, y soporta pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para los usos de la baja tensión tales como convertidores automotrices, de la C.C. DC, y transferencia de la eficacia alta para la gestión del poder en productos portátiles y con pilas.
Características
• 52.4A, 60V, RDS (encendido) = 0.021Ω @VGS = 10 V
• Carga baja de la puerta (24,5 típicos nC)
• Crss bajo (90 típicos PF)
• Transferencia rápida
• la avalancha 100% probó
• Capacidad mejorada de dv/dt
• grado máximo de la temperatura de empalme 175°C
Grados máximos absolutos TC = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | FQP50N06L | Unidades |
| VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | 60 | V |
| Identificación | Drene actual - continuo (TC = 25°C) - Continuo (TC = 100°C) | 52,4 | |
| 37,1 | |||
| IDM | Drene actual - pulsado (la nota 1) | 210 | |
| VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V |
| EAS | Sola energía pulsada de la avalancha (nota 2) | 990 | mJ |
| IAR | Corriente de la avalancha (nota 1) | 52,4 | |
| OÍDO | Energía repetidor de la avalancha (nota 1) | 12,1 | mJ |
| dv/dt | Recuperación máxima del diodo dv/dt (nota 3) | 7,0 | V/ns |
| Paladio | Disipación de poder (TC = 25°C) - Reduzca la capacidad normal sobre 25°C | 121 | W |
| 0,81 | W/°C | ||
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | -55 a +175 | °C |
| TL | Temperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8" de la ventaja del caso por 5 segundos | 300 | °C |
Dimensiones del paquete
TO-220
Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder FQP50N06
Carro de la investigación
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