Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja
Number modelo:TIP42CTU
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:50pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:1 día
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP
LISTA COMÚN
| MCF5272VF66 | 3100 | FREESCALE | 10+ | BGA |
| PMEG4010EH | 16000 | 15+ | SOD-123 | |
| LM2901DR2G | 40000 | EN | 14+ | SOP-14 |
| LTC4054LES5-4.2 | 6519 | LT | 16+ | SOT23-6 |
| OPA548T | 7940 | TI | 13+ | TO-220 |
| MI0805K400R-10 | 20000 | ADMINISTRADOR | 16+ | SMD |
| PC3Q67Q | 11480 | SOSTENIDO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MAX9075EUK-T | 9932 | MÁXIMA | 15+ | BORRACHÍN |
| LT1932ES6#TRMPBF | 11490 | LINEAR | 16+ | SOT-23-6 |
| MAX856ESA+ | 8651 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LP339M | 7728 | NSC | 14+ | SOP-14 |
| LT1932ES6 | 11446 | LT | 16+ | SOT-23-6 |
| MAX941CSA+ | 10481 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LTC2436-1CGN | 7052 | LINEAR | 11+ | SSOP |
| OP275GSZ | 6060 | ANUNCIO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| ICL3221ECAZ | 2460 | INTERSIL | 14+ | SSOP16 |
| BRPY1211F-TR | 1560 | STANLEY | 15+ | SMD |
| FDV301N | 2200 | FSC | 13+ | SOT-23 |
| FM25640-GTR | 2200 | RAMTRON | 15+ | SOP-8 |
| AD8602ARZ | 2450 | ANUNCIO | 14+ | COMPENSACIÓN |
| BT151-500C | 2100 | 15+ | TO220 | |
| AD8604ARZ | 2450 | ANUNCIO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| D3FS6 | 2225 | SHINDENGE | 13+ | DO-214 |
| BQ24702PW | 1560 | TI | 15+ | TSSOP-24 |
| 74LCX16374MTDX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | TSOP |
| HEF4052BT | 1520 | 15+ | COMPENSACIÓN | |
| 2SC3205 | 3000 | KEC | 16+ | TO-92L |
| DS3231SN# | 4860 | MÁXIMA | 15+ | COMPENSACIÓN |
| HEF4013BT | 1520 | 14+ | COMPENSACIÓN |
Características
• Usos que cambian lineares del poder medio
• Complemento a TIP41/TIP41A/TIP41B/TIP41C
Grados máximos absolutos TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| VEBO | Voltaje de la Emisor-base | - 5 | V |
| IC | Corriente de colector (DC) | - 6 | |
| ICP | Corriente de colector (pulso) | -10 | |
| IB | Corriente baja | -2 | |
| TJ | Temperatura de empalme | 150 | °C |
Mosfet del poder del transistor epitaxial del silicio de TIP42CTU que cambia PNP, mosfet de la energía baja
Carro de la investigación
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