Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP
Number modelo:P4NK60ZFP
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8760pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| MAX191BCWG+ | 2338 | MÁXIMA | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | MÁXIMA | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | TI | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | TI | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | MÁXIMA | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | MÁXIMA | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | MÁXIMA | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | MÁXIMA | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | MÁXIMA | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | MÁXIMA | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | TI | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | TI | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | TI | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | TI | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | TI | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | MÁXIMA | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | MÁXIMA | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | MÁXIMA | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | MÁXIMA | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | MÁXIMA | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | MÁXIMA | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | MÁXIMA | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | MÁXIMA | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | MÁXIMA | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | MÁXIMA | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | MÁXIMA | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™Power
■Ω TÍPICO 1,76 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■BUEN REPEATIBILITY DE FABRICACIÓN MISMO
DESCRIPCIÓN
La serie de SuperMESH™ se obtiene con una optimización extrema de la disposición stripbased establecida de PowerMESH™ del ST. Además de empujar en-resistencia perceptiblemente hacia abajo, el cuidado especial se toma para asegurar una capacidad muy buena de dv/dt para los usos más exigentes. Tal serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■IDEAL PARA LAS FUENTES DE ALIMENTACIÓN OFF-LINE, LOS ADAPTADORES Y PFC
■ILUMINACIÓN
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) | 600 | V | ||
| VDGR | voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20) | 600 | V | ||
| VGS | Voltaje de fuente de puerta | ± 30 | V | ||
| Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 25°C | 4 | 4 (*) | 4 | |
| Identificación | Drene actual (continuo) en TC = 100°C | 2,5 | 2,5 (*) | 2,5 | |
| IDM (•?) | Corriente del dren (pulsada) | 16 | 16 (*) | 16 | |
| PTOT | Disipación total en TC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,56 | 0,2 | 0,56 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Fuente ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) de la puerta | 3000 | V | ||
| dv/dt (1) | Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | El aislamiento soporta el voltaje (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Temperatura de empalme de funcionamiento Temperatura de almacenamiento | -55 a 150 -55 a 150 | °C | ||
(•??) anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.
(*) limitó solamente por la temperatura máxima permitida
Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de P4NK60ZFP
Carro de la investigación
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