MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06

Number modelo:FQP30N06
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6900pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
MCIMX535DVV1C1066FREESCALE14+BGA
MCIMX6S7CVM08AC769FREESCALE16+BGA
MCP100T-270I/TT68000MICROCHIP15+SOT23-3
MCP100T-315I/TT57000MICROCHIP16+SOT23-5
MCP100T-450I/TT58000MICROCHIP10+SOT23-3
MCP120T-315I/TT24000MICROCHIP14+SOT-23
MCP1252-33X50I/MS6935MICROCHIP16+MSOP
MCP1525T-I/TT22350MICROCHIP14+SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB11219MICROCHIP16+SOT-89
MCP1700T-1802E/TT17041MICROCHIP06+SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB14911MICROCHIP09+SOT-89
MCP1700T-3302E/TT87000MICROCHIP12+SOT-23
MCP1700T-5002E/TT6249MICROCHIP16+SOT-23
MCP1702T-3302E/MB8308MICROCHIP13+SOT-89
MCP1703T-5002E/DB6320MICROCHIP13+SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB5514MICROCHIP16+SOT-223
MCP1826T-3302E/DC6845MICROCHIP15+SOT223-5
MCP2122-E/SN7708MICROCHIP13+SOP-8
MCP23S17-E/SO8974MICROCHIP15+SOP-28
MCP2551-I/SN7779MICROCHIP16+SOP-8
MCP2551T-E/SN3957MICROCHIP16+SOP-8
MCP3202-CI/SN5841MICROCHIP15+SOP-8
MCP3202-CI/SN5770MICROCHIP15+SOP-8
MCP3208-CI/P8740MICROCHIP15+INMERSIÓN
MCP3421AOT-E/CH12828MICROCHIP16+SOT23-6
MCP3422AO-E/SN3875MICROCHIP10+SOP-8
MCP3424-E/SL8273MICROCHIP16+SOP-14
MCP3551-E/SN7817MICROCHIP16+SOP-8
MCP41050T-I/SN4450MICROCHIP11+SOP-8
MCP41100-I/SN3572MICROCHIP15+SOP-8

FQP30N06

MOSFET del canal N 60V


Descripción general

Estos transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del canal N se producen usando Fairchild propietaria, raya planar, tecnología de DMOS.


Esta tecnología avanzada se ha adaptado especialmente para minimizar resistencia del en-estado, proporcionar funcionamiento que cambiaba superior, y soporta pulso de la alta energía en el modo de la avalancha y de la conmutación. Estos dispositivos están bien adaptados para los usos de la baja tensión tales como convertidores automotrices, de la C.C. DC, y transferencia de la eficacia alta para la gestión del poder en productos portátiles y con pilas.


Características

• 30A, 60V, RDS (encendido) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Carga baja de la puerta (19 típicos nC)

• Crss bajo (40 típicos PF)

• Transferencia rápida

• la avalancha 100% probó

• Capacidad mejorada de dv/dt

• grado máximo de la temperatura de empalme 175°C


Grados máximos absolutos TC = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloParámetroFQP30N06Unidades
VDSSVoltaje de la Dren-fuente60V
Identificación

Drene actual - continuo (TC = 25°C)

- Continuo (TC = 100°C)

30
21,3
IDMDrene actual - pulsado (la nota 1)120
VGSSVoltaje de la Puerta-fuente± 25V
EASSola energía pulsada de la avalancha (nota 2)280mJ
IARCorriente de la avalancha (nota 1)30
OÍDOEnergía repetidor de la avalancha (nota 1)7,9mJ
dv/dtRecuperación máxima del diodo dv/dt (nota 3)7,0V/ns
Paladio

Disipación de poder (TC = 25°C)

- Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

79W
0,53W/°C
TJ, TSTGGama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento-55 a +175°C
TLTemperatura máxima para los propósitos que sueldan, 1/8" de la ventaja del caso por 5 segundos300°C

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MOSFET del canal N del mosfet ic del poder del transistor del Mosfet del poder FQP30N06

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