MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
Number modelo:STGB7NC60HDT4
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:7800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Dentro de 48 Horas
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Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| DS1245Y-100 | 1002 | DALLAS | 15+ | TO-92 |
| DS1990A-F5 | 1002 | MÁXIMA | 16+ | PODER |
| ICL7135CPIZ | 1002 | INTERSIL | 16+ | INMERSIÓN |
| IRFP150NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| IRFP260NPBF | 5000 | IR | 14+ | TO-247 |
| K847P | 1002 | VISHAY | 14+ | DIP16 |
| LM301AN | 1002 | NS | 16+ | DIP8 |
| LM35DT | 1002 | NS | 16+ | TO-220 |
| MC34074AP | 1002 | EN | 13+ | DIP14 |
| TC962CPA | 1002 | MICROCHIP | 15+ | DIP8 |
| VB125ASP | 1002 | STM | 16+ | SOP-10 |
| LT1084CT-12 | 1005 | LT | 16+ | TO220 |
| XC2C64A-7VQG44C | 1005 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| 30344 | 560 | BOSCH | 14+ | QFP |
| AT93C66A-10SQ-2.7 | 1008 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| NCP1200AP40 | 1008 | EN | 16+ | DIP8 |
| PCA82C250T/N4,118 | 3000 | 16+ | SOP8 | |
| ADM5120PX-AB-T-2 | 1009 | 13+ | QFP208 | |
| TDA8950J | 1011 | 15+ | ZIP23 | |
| HT8950 | 1012 | HOLTEK | 16+ | INMERSIÓN |
| TDA7384 | 1012 | ST | 16+ | CREMALLERA |
| CS5550-ISZ | 1022 | CIRRO | 14+ | SSOP24 |
| LF412CN | 1022 | NS | 14+ | DIP8 |
| IR21141SSPBF | 1031 | IR | 14+ | SSOP24 |
| XCF04SVOG20C | 1034 | XILINX | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MC34084P | 1050 | EN | 16+ | DIP-14 |
| DAC1220E | 1077 | TI | 13+ | SSOP16 |
| AT91SAM7X256-AU | 1088 | ATMEL | 15+ | QFP |
| 74LVX4245MTCX | 1100 | FSC | 16+ | TSSOP |
| ADM2582EBRWZ | 1100 | ANUNCIO | 16+ | SOP-20 |
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
CANAL N 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D
PowerMESH™ muy rápido IGBT
■Un DESCENSO MÁS BAJO de ON-VOLTAGE (Vcesat)
■DE PÉRDIDAS INCLUYA LA CORRIENTE DE LA COLA
■LAS PÉRDIDAS INCLUYEN ENERGÍA DE LA RECUPERACIÓN DEL DIODO
■BAJE EL RATIO DE CRES/CIES
■OPERACIÓN DE ALTA FRECUENCIA HASTA 70 kilociclos
■DIODO PARALELO ANTI DE LA RECUPERACIÓN ULTRARRÁPIDA SUAVE MISMA
■PRODUCTOS DE LA NUEVA GENERACIÓN CON UNA DISTRIBUCIÓN MÁS APRETADA DEL PARÁMETRO
DESCRIPCIÓN
Usando la última tecnología de alto voltaje basada en una disposición patentada de la tira, STMicroelectronics ha diseñado una familia avanzada de IGBTs, el PowerMESH™ IGBTs, con funcionamientos excepcionales. El sufijo “H” identifica a una familia optimizada para los usos de alta frecuencia para alcanzar los funcionamientos que cambian muy altos (tfall reducido) mantaining un descenso de la baja tensión.
USOS
■INVERSORES DE ALTA FRECUENCIA
■SMPS Y PFC EN AMBOS INTERRUPTOR DURO Y TOPOLOGÍAS RESONANTES
■CONDUCTORES DEL MOTOR
Grados máximos absolutos
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
STGP7NC60HD STGB7NC60HD | STGF7NC60HD | |||
| VCES | Voltaje del Colector-emisor (VGS = 0) | 600 | V | |
| VECR | Voltaje del Emisor-colector | 20 | V | |
| VGE | Voltaje del Puerta-emisor | ±20 | V | |
| IC | Corriente de colector (continua) en TC = 25°C (#) | 25 | 10 | |
| IC | Corriente de colector (continua) en TC = 100°C (#) | 14 | 6 | |
| ¿ICM (? 1) | Corriente de colector (pulsada) | 50 | ||
| SI | Corriente delantera del RMS del diodo en TC = 25°C | 20 | ||
| PTOT | Disipación total en TC = 25°C | 80 | 25 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,64 | 0,20 | W/°C | |
| VISO | El aislamiento soporta el A.C. del voltaje. (t = 1 sec; Tc = 25°C) | - | 2500 | V |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | – 55 a 150 | °C | |
| Tj | Temperatura de empalme de funcionamiento | |||
(1?) anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima.
Cuadro 1: Paquete
Cuadro 2: Diagrama esquemático interno
MALLA rápida misma IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4
Carro de la investigación
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