Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia

Number modelo:DMG2307L-7
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:290PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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LISTA COMÚN

2SD1408Y3000TOSHIBA16+TO-220F
EL 10TPB47M9000SANYO16+SMD
F931A106MAA1950NICHILON14+SMD
AM26LS32ACNSR1600TI13+SOP-16
EL 10TPC68M9000SANYO15+SMD
EL 10TPB33M9000SANYO15+SMD
A6251M5800SANKEN11+DIP-8
A6251M2230SANKEN16+DIP-8
H10613460GOLPEE14+TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I100XILINX15+BGA
FSDM0265RN3460FAIRCHILD16+DIP-8
MOC30835588FSC16+INMERSIÓN
GP1A52HRJ00F3460SOSTENIDO15+INMERSIÓN
PIC24FJ128GB106-I/PT4173MICROCHIP15+TQFP
C393C1380NEC16+DIP-8
DS1220AD-100IND+500DALLAS15+DIP-24
ME15N10-G5956MATSU16+TO-252
D3SB602200SHINDENGE14+TO-220
FT2232D3460FTDI14+QFP
BCV498000INF16+SOT-89
2SA1941+2SC51983000TOSHIBA16+TO-3P
LM5010SD1942NSC14+LLP-10
LM3916N-12134NSC11+DIP-8
L98232949ST15+SOP24
XC95216-20PQ160I480XILINX12+QFP-160
74HC14D750016+COMPENSACIÓN
DM-587740NMB13+SORBO
LA46292652SANYO14+ZIP-12
BFP183E6359210015+SMD
BAS70-04LT1G15000EN15+SOT-23
BAS70-05LT1G15000EN15+SOT-23
HEF4050BT152015+COMPENSACIÓN
EP1K30TC144-32370ALTERA16+TQFP144
MCR265-105782EN16+TO-220
GBPC3508W3460SEPT13+GBPC


DMG2307L-7

En-resistencia baja del MOSFET del MODO del AUMENTO del P-CANAL

Características y ventajas

• En-resistencia baja

• Capacitancia entrada baja

• Velocidad que cambia rápida

• Sin plomo por el diseño/RoHS obedientes (nota 1)

• Dispositivo “verde” (nota 2)

• Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad


Datos mecánicos

• Caso: SOT-23

• Material del caso: Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0 • Sensibilidad de humedad: Llano 1 por J-STD-020

• Indicador de las conexiones terminales: Vea el diagrama

• Terminales: El ⎯ Matte Tin del final recoció sobre el leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202,

Método 208

• Peso: 0,08 gramos (de aproximado


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Transistor del Mosfet de la energía baja Dmg2307l-7, punto bajo del módulo del mosfet del poder en resistencia

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