MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A
Number modelo:FDS6990A
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:7000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A
Descripción general
Estos MOSFETs del nivel de la lógica del canal N se producen usando el proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior.
Estos dispositivos están bien adaptados para la baja tensión y los usos con pilas donde se requieren el apagón en línea bajo y la transferencia rápida.
Características
· 7,5 A, 30 V. RDS (ENCENDIDO) = 18 mW @ VGS = 10 V
RDS (ENCENDIDO) = 23 mW @ VGS = 4,5 V
· Velocidad que cambia rápida
· Carga baja de la puerta
· Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
· Poder más elevado y capacidad de dirección actual
Grados máximos absolutos TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
| VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | 30 | V |
| VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V |
| Identificación | Drene actual – continuo (nota 1a) – Pulsado | 7,5 | |
| 20 | |||
| Paladio | Disipación de poder para la sola operación (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) | 1,6 | W |
| 1,0 | |||
| 0,9 | |||
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | – 55 a +150 | ℃ |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| G5V-1-DC9 | 6255 | OMRON | 15+ | INMERSIÓN |
| G5V-2-12VDC | 7727 | OMRON | 14+ | INMERSIÓN |
| G60N100BNTD | 3498 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
| G65SC51P-2 | 6939 | CMD | 16+ | DIP-28 |
| G6K-2F-Y-5VDC | 10509 | OMRON | 13+ | SOP-8 |
| GAL16V8D-25LP | 5311 | ENREJADO | 16+ | DIP-20 |
| GBL08-E3/51 | 13704 | VISHAY | 14+ | DIP-4 |
| GBPC3508W-E4/51 | 8669 | VISHAY | 16+ | DIP-4 |
| GBU408 | 90000 | SEPT | 13+ | ZIP-4 |
| GBU6K | 14556 | LRC | 13+ | SIP-4 |
| GBU8M | 17593 | VISHAY | 15+ | DIP-4 |
| GE865-QUAD | 1285 | TELIT | 14+ | GPRS |
| GIPS20K60 | 2254 | ST | 13+ | MÓDULO |
| GL34A | 4000 | DIOTEC | 13+ | DO-213AA |
| GL41D | 20000 | GS | 13+ | LL41 |
| GL852G-MNG12 | 7574 | GENESYS | 15+ | LQFP-48 |
| GL865 SE DOBLAN | 1174 | TELIT | 10+ | GPRS |
| GLL4760-E3/97 | 24000 | VISHAY | 10+ | NA |
| GP1S094HCZ0F | 5752 | SOSTENIDO | 13+ | DIP-4 |
| GS2978-CNE3 | 2125 | GENNUM | 15+ | QFN16 |
| GS2984-INE3 | 1336 | GENNUM | 13+ | QFN |
| GS2988-INE3 | 6693 | GENNUM | 16+ | QFN16 |
| GS3137-08-TAZ | 2008 | CONEXANT | 09+ | TSSOP |
| GSIB2580-E3/45 | 4938 | VISHAY | 16+ | GSIB-5S |
| GSOT03C-GS08 | 7000 | VISHAY | 15+ | SOT-23 |
| GVA-63+ | 8824 | MINI | 15+ | SOT-23 |
| GVA-84+ | 4397 | MINI | 14+ | SOT-89 |
| H11AA1SR2M | 14966 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-6 |
| H11AA4 | 15037 | FAIRCHILD | 14+ | INMERSIÓN |
| H11AG1SR2M | 4006 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-6 |
MOSFET dual de PowerTrench de la lógica del canal N del transistor del Mosfet del poder de FDS6990A
Carro de la investigación
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