2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

Number modelo:2N2646
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:290PCS
Plazo de expedición:1 día
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

TRANSISTORES DEL SILICIO UNIJUNCTION

Los transistores planares de Unijunction del silicio tienen una estructura dando por resultado un voltaje de saturación más bajo, corriente del pico-punto y zell actual del valle tan como voltaje máximo del pulso de una base-uno mucho más alta. Además, estos dispositivos son interruptores mucho más rápidos.


El 2N2646 se piensa para los usos industriales de fines generales donde está la economía del circuito de importancia primaria, y es ideal para el uso en los circuitos de leña para los rectificadores controlados de silicio y otros usos donde se requiere una amplitud de pulso mínima garantizada. El 2N2647 se piensa para los usos donde una salida baja del emisor actual y una corriente baja del emisor del punto máximo (corriente del disparador) se requieren y también para accionar los SCR del poder más elevado.


GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS Tj=125°C a menos que se indicare en forma diferente

SímboloGrados

2N2646

2N2647

Unidad
VB2EVoltaje Emitter-Base230V
IECorriente del emisor del RMS50mA
IE *Corriente máxima del emisor del pulso2
VB2BVoltaje Interbase35V
PaladioDisipación de potencia RMS300mW
TJTemperatura de empalme-65 a +125°C
TStgTemperatura de almacenamiento-65 a +150°C

LISTA COMÚN


36MB100A1629IR15+MÓDULO
LM2674MX-5.01865NSC10+SOP-8
LTC1690CS86022LINEAR14+COMPENSACIÓN
PMBT390478000015+SOT-23
PM10CNA060200MITSUBISH09+MOUDLE
B12403455EN15+DIP18
LM3403N2969NSC10+DIP-14
LM4050CIM3X-2.56586NSC13+SOT-23-3
PIC16LF877A-I/PT4698MICROCHIP16+QFP
MAX4252EUA13500MÁXIMA15+MSOP
MC33033DW11000EN16+COMPENSACIÓN
L051721596ST15+HSSOP36
BT136S-600E382915+TO220
MCP6S21-I/MS5560MICROCHIP16+MSOP
MTD1375F7513SHINDENGE15+HSOP
MAX3232ECAE11250MÁXIMA16+SSOP
MD1803DFX5836ST16+TO-3P
LM5118MH1743NSC11+TSSOP-20
LTC3108IGN6857LT16+SSOP
ATTINY26L-8MU552ATMEL14+QFN-32
ZRA245A021200ZETEX10+TO-92
LP3855ESX-3.32263NSC14+TO-263
PIC18F25J10-I/SO4558MICROCHIP15+COMPENSACIÓN
AU62543000ALCOR12+LQFP48
China 2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder supplier

2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

Carro de la investigación 0