Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF
Number modelo:IRFB4229PBF
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:9000 piezas
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
INTERRUPTOR IRFB4229PbF de PDP
¿???????
¿Características?
• ¿Tecnología de proceso avanzada?
• ¿Los parámetros dominantes optimizados para PDP sostienen, recuperación de energía y los usos del interruptor del paso?
• El grado bajo de EPULSE para reducir la disipación de poder en PDP sostiene,
¿Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía?
• ¿QG bajo para la respuesta rápida?
• ¿Alta capacidad repetidor de la corriente de pico para la operación confiable?
• ¿Caída corta y tiempos de subida para la transferencia rápida?
• ¿temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza mejorada?
• Capacidad repetidor de la avalancha para la robustez y la confiabilidad
Parámetros dominantes
| Minuto de VDS | 250 | V |
| Tipo de VDS (avalancha). | 300 | V |
| Tipo del RDS (ENCENDIDO). @ 10V | 38 | mΩ |
| IRP máximo @ TC = 100°C | 91 | |
| TJ máximo | 175 | °C |
¿Descripción???
Este MOSFET del poder de HEXFET® se diseña específicamente para Sustain; Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía en los paneles de pantalla de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar en-resistencia baja por área del silicio y el grado bajo de EPULSE. Las características adicionales de este MOSFET son temperatura de empalme de funcionamiento 175°C y alta capacidad repetidor de la corriente de pico. Estas características combinan para hacer este MOSFET un dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para PDP que conduce usos.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
|---|---|---|---|
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±30 | V |
| Identificación @ TC = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 46 | |
| Identificación @ TC = 100°C | Corriente continua del dren, VGS @ 10V | 33 | |
| IDM | Corriente pulsada del dren | 180 | |
| IRP @ TC = 100°C | ¿Corriente máxima repetidor? | 91 | |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 330 | W |
| Paladio @TC = 100°C | Disipación de poder | 190 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 2,2 | W/°C | |
| TJ TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | -40 a + 175 | °C |
| Temperatura que suelda por 10 segundos | 300 | °C | |
| Montando el esfuerzo de torsión, 6-32 o el tornillo M3 | 10lbin (1.1Nm) | N |
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| HIP4080AIBZT | 3925 | INTERSIL | 15+ | COMPENSACIÓN |
| TNY266PN | 3970 | PODER | 16+ | DIP7 |
| LM7912CT | 3990 | NS | 16+ | TO-220 |
| HCNW4503 | 3991 | AVAGO | 14+ | SOP8DIP8 |
| ICL7650SCBA | 3996 | INTERSIL | 14+ | SOP-8 |
| LM2575HVT-ADJ | 3997 | NS | 14+ | TO-220 |
| MUR3020PT | 3997 | EN | 16+ | TO-3P |
| IRFR5305 | 3998 | IR | 16+ | TO-252 |
| MJ802 | 3998 | EN | 13+ | TO-3 |
| LBAT54XV2T1G | 3999 | EN | 15+ | SOD-523 |
| VN10LFTA | 3999 | ZETEX | 16+ | SOT23 |
| 1N5341B | 4000 | EN | 16+ | CASE17 |
| 1N5343B | 4000 | EN | 14+ | DO-02 |
| 2SC2383 | 4000 | TOSHIBA | 14+ | TO-92 |
| 2SC3807 | 4000 | SANYO | 14+ | TO-126 |
| 2SK170BL | 4000 | TOSHIBA | 16+ | TO-92 |
| 74HC174D | 4000 | 16+ | SOP-16 | |
| 74LVC245AD | 4000 | 13+ | COMPENSACIÓN | |
| AD8572ARZ | 4000 | ANUNCIO | 15+ | SOP8 |
| AT24C512C-SSHD-T | 4000 | ATEML | 16+ | SOP8 |
| BCV48 | 4000 | 16+ | SOT-89 | |
| BD137 | 4000 | ST | 14+ | TO-126 |
| BTS721L1 | 4000 | 14+ | SOP-20 | |
| CD4027BE | 4000 | TI | 14+ | INMERSIÓN |
| CPC1017N | 4000 | CLARE | 16+ | SOP4 |
| IRF7307 | 4000 | IR | 16+ | SOP8 |
| IRFR210 | 4000 | IR | 13+ | SOT-252 |
| LT1963AEST-3.3 | 4000 | LT | 15+ | SOT-223 |
| MIC4424BN | 4000 | MICREL | 16+ | DIP8 |
| MICROSMD050F-2 | 4000 | TYCO | 16+ | SMD |
Transistor del MOSFET del canal N del INTERRUPTOR del módulo PDP del Mosfet del poder de IRFB4229PBF
Carro de la investigación
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