Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP
Number modelo:BC557A
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Características
•¿? Final sin plomo/RoHS obediente (el sufijo de “P” señala
RoHS obediente. Información el ordenar See)
•¿? temperatura de empalme de 150o C
• A través del paquete del agujero
• El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
• Nivel 1 de la sensibilidad de Moisure
• Marca: Tipo número
Datos mecánicos
¿? • Caso: TO-92, plástico moldeado
• Polaridad: indicado como abajo.
Grados máximos @ 25o C salvo especificación de lo contrario
| Charateristic | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje del Colector-emisor BC556 BC557 BC558 | VCEO | -65 -45 -30 | V |
Voltaje de la Colector-base Because556 BC557 BC558 | VCBO | -80 -50 -30 | V |
| Voltaje de la Emisor-base | VEBO | -5,0 | V |
| Corriente de colector (DC) | IC | -100 | mA |
| Poder Dissipation@TA =25°C | Paladio | 625 5,0 | mW mW/°C |
| Poder Dissipation@TC =25°C | Paladio | 1,5 12 | mW mW/°C |
| Resistencia termal, empalme al aire ambiente | R JA | 200 | °C/W |
| Resistencia termal, empalme a encajonar | R JC | 83,3 | °C/W |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, TSTG | -55~150 | °C |
Transistor 625mW BC557A del amplificador del silicio de PNP
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