Rectificador intrínseco rápido del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder que cambia
Number modelo:IXFH60N50P3
Lugar del origen:Filipinas
Cantidad de orden mínima:20
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:20000
Plazo de expedición:1
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Rectificador intrínseco rápido del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder que cambia
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V
MOSFET del poder IXFQ60N50P3 Yo D25 = 60A
IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ del RDS (encendido)
Modo del aumento del canal N
Avalancha clasificada
Rectificador intrínseco rápido
| Símbolo | Condiciones de prueba | Grados máximos |
VDSS VDGR | TJ = 25°C a 150°C TJ = 25°C a 150°C, RGS = 1MΩ | 500 V 500 V |
VGSS VGSM | Continuo Transeúnte | ± 30 V ± 40 V |
YO D25 YO DM | TC = 25°C TC = 25°C, Pulse Width Limited por TJM | 60 A 150 A |
YO A EAS | TC = 25°C TC = 25°C | 30 A 1 J |
| dv/dt | ES el ≤ IDM, ≤ VDSS, ≤ 150°C de VDD de TJ | 35 V/ns |
| Paladio | TC = 25°C | W 1040 |
TJ TJM Tstg | -55… °C +150 °C 150 -55… °C +150 | |
TL Tsold | 1.6m m (los 0.062in.) del caso para 10s Cuerpo plástico por 10 segundos | °C 300 °C 260 |
| Md | Montando el esfuerzo de torsión (TO-247 y TO-3P) | 1.13 / 10 Nm/lb.in. |
| Peso | TO-268 TO-3P TO-247 | 4,0 g 5,5 g 6,0 g |
Características
Rectificador intrínseco rápido
Avalancha clasificada
RDS bajo (ENCENDIDO) y QG
Inductancia baja del paquete
Ventajas
Densidad de poder más elevado
Fácil montar
Ahorros de espacio
Usos
Fuentes del Interruptor-modo y de alimentación del Resonante-modo
Conductores del laser de los convertidores z de DC-DC
Impulsiones del motor de la CA y de DC
Controles de la robótica y del servo
Fig. 1. características de salida @ TJ = 25ºC Fig. 2. amplió características de salida @ TJ = 25ºC
Fig. 3. características de salida @ TJ = 125ºC Fig. 4. RDS (encendido) normalizado a valor identificación = 30A contra Empalme Temperatura
Fig. 5. RDS (encendido) normalizado a valor identificación = 30A contra 6. dren máximo actual contra caso Dren CurrentFig. Temperatura
Fig. 7. entrada entrada Fig. 8. transconductancia
Rectificador intrínseco rápido del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder que cambia
Carro de la investigación
0