Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFDTU

Number modelo:FGH60N60SFD
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:Negocie
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

FGH60N60SFD

600V, parada de campo 60A IGBT


Características

• Capacidad de gran intensidad

• Voltaje de saturación bajo: VCE (se sentó) =2.3V @ IC = 60A

• Alta impedancia de entrada

• Transferencia rápida

• RoHS obediente


Usos

• Calefacción de inducción, UPS, SMPS, PFC


Descripción general

Usando tecnología nueva de la parada de campo IGBT, las nuevas series de Fairchild de parada de campo IGBTs ofrecen el funcionamiento óptimo para los usos de la calefacción de inducción, de UPS, de SMPS y de PFC donde están esenciales la conducción baja y las pérdidas que cambian.


Grados máximos absolutos

SímboloDescripciónGradosUnidades
VCESColector al voltaje del emisor600V
VGESPuerta al voltaje del emisor± 20V
ICCorriente de colector @ TC = 25℃120
Corriente de colector @ TC = 100℃60
ICM (1)Corriente de colector pulsada @ TC = 25℃180
PaladioDisipación de poder máxima @ TC = 25℃378W
Disipación de poder máxima @ TC = 100℃151W
TJTemperatura de empalme de funcionamiento-55 a +150
TstgGama de temperaturas de almacenamiento-55 a +150
TLTemporeros máximos de la ventaja. para los propósitos que sueldan, 1/8" del caso por 5 segundos300

Notas: 1: Prueba repetidor, anchura de pulso limitada por temperatura máxima del juntion


Dimensiones mecánicas


TO-247AB (CÓDIGO 001 DEL PAQUETE DE FKS)


China Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFDTU supplier

Módulo 600V, parada de campo 60A IGBT del Mosfet del poder de FGH60N60SFDTU

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