Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122
Number modelo:TIP122
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
TIP120/121/122
TIP125/126/127
TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL PODER DARLICM GROUPON DEL SILICIO
■STMicroelectronics PREFIRIÓ SALESTYPES
DESCRIPCIÓN
Los TIP120, los TIP121 y los TIP122 son transistores de poder de la Epitaxial-base NPN del silicio en la configuración monolítica de DarliCM GROUPon montada en el paquete plástico de Jedec TO-220. Intented para el uso en usos lineares y que cambian del poder. Los tipos complementarios de PNP son TIP125, TIP126 y TIP127, respectivamente.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |||
| NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
| PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
| VCBO | Voltaje de la Colector-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VCEO | Voltaje del Colector-emisor (IB = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
| VEBO | DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO (IC = 0) | 5 | V | |||
| IC | Corriente de colector | 5 | ||||
| ICM | Corriente máxima del colector | 8 | ||||
| IB | Corriente baja | 0,1 | ||||
| Ptot | Disipación total en el ℃ del ≤ 25 de Tcase ℃ del ≤ 25 de Tamb | 65 2 | W | |||
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -65 a 150 | ℃ | |||
| Tj | Temperatura de empalme de Max. Operating | 150 | ℃ | |||
TO-220 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO
Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122
Carro de la investigación
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