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MOSFET dual II del ohmio TO-220 PowerMESH del CANAL N 600V 1,8 del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder IRFBC30]
Number modelo:IRFBC30
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IRFBC30
N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ
| TIPO | VDSS | RDS (encendido) | Identificación |
| IRFBC30 | 600 V | < 2=""> | 3,6 A |
TO-220
■Ω TÍPICO 1,8 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■CAPACITANCIAS INTRÍNSECAS BAJAS MISMAS
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ
DESCRIPCIÓN
El PowerMESHTM ΙΙ es la evolución de la primera generación de la MALLA OVERLAYTM. Los refinamientos de la disposición introducidos grandemente para mejorar la figura de Ron*area del mérito mientras que guarda el dispositivo en el borde delantero por qué preocupaciones velocidad que cambia, carga de la puerta y aspereza.
USOS
■TRANSFERENCIA DE GRAN INTENSIDAD, DE ALTA VELOCIDAD
■FUENTES DE ALIMENTACIÓN DEL MODO DE SWITH (SMPS)
■CONVERTIDORES DE DC-AC PARA EL EQUIPO DE SOLDADURA Y LOS SISTEMAS DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA Y EL CONDUCTOR DEL MOTOR
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| VDS | voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) | 600 | V |
| VDGR | Voltaje de la puerta del dren (RGS = kΩ 20) | 600 | V |
| VGS | voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V |
| Identificación | Drene actual (continuo) en Tc = el ℃ 25 | 3,6 | |
| Identificación | Drene actual (continuo) en Tc = el ℃ 100 | 2,3 | |
| IDM (•) | Corriente del dren (pulsada) | 14 | |
| Ptot | Disipación total en Tc = ℃ 25 | 75 | W |
| Reducir la capacidad normal de factor | 0,6 | W/℃ | |
| dv/dt (1) | Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo | 3 | V/ns |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -65 a 150 | ℃ |
| Tj | Temperatura de empalme de Max. Operating | 150 | ℃ |
(•) Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de di/dt de VDD de Tj
DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO
DATOS MECÁNICOS TO-220
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