Transistor 19A, 100V, 0,200 ohmios, MOSFETs del Mosfet del poder del mosfet ic del poder IRF9540 del poder del P-canal
Number modelo:IRF9540
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8600pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 ohmios, MOSFETs del poder del P-canal
Éstos son transistores de efecto de campo del poder de la puerta de silicio del modo del aumento del P-canal. Son MOSFETs avanzados del poder diseñados, probados, y garantizados para soportar un nivel especificado de energía en el modo de operación de la avalancha de la avería. Todos estos MOSFETs del poder se diseñan para los usos tales como recortes reguladores, convertidores que cambian, conductores del motor, conductores de la retransmisión, y conductores para los transistores de transferencia bipolares del poder más elevado que requieren poder de alta velocidad y bajo de la impulsión de la puerta. Pueden ser actuados directamente desde los circuitos integrados.
Tipo antes de desarrollo TA17521.
Características
• 19A, 100V
• rDS (ENCENDIDO) = 0.200Ω
• La sola energía de la avalancha del pulso valoró
• SOA es Power Dissipation Limited
• Velocidades de transferencia del nanosegundo
• Características de transferencia lineares
• Alta impedancia de entrada
• Literatura relacionada - TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”
Grados máximos absolutos TC = 25℃, salvo especificación de lo contrario
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | IRF9540, RF1S9540SM | UNIDADES |
| Drene al voltaje de la fuente (nota 1) | VDS | -100 | V |
| Drene para bloquear voltaje (RGS = 20kΩ) (nota 1) | VDGR | -100 | V |
Corriente continua del dren TC = 100℃ | Identificación | -19 -12 | |
| Corriente pulsada del dren (nota 3) | IDM | -76 | |
| Puerta al voltaje de la fuente | VGS | ±20 | V |
| Disipación de poder máxima (cuadro 1) | Paladio | 150 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear (cuadro 1) | 1 | W/℃ | |
| Solo grado de la energía de la avalancha del pulso (nota 4) | EAS | 960 | mJ |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 175 | ℃ |
Temperatura máxima para soldar Ventajas en los 0.063in (1.6m m) del caso para 10s El cuerpo del paquete para 10s, considera Techbrief 334 | TL Tpkg | 300 260 | ℃ ℃ |
PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un único grado de la tensión y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.
NOTA: 1. TJ = 25℃ a 150℃.
Símbolo
Empaquetado
JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB
Circuitos y formas de onda de la prueba
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| L8581AAE | 2861 | LUCENT | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | EN | 10+ | SOP-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | SOT-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | TO-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | MÁXIMA | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
Transistor 19A, 100V, 0,200 ohmios, MOSFETs del Mosfet del poder del mosfet ic del poder IRF9540 del poder del P-canal
Carro de la investigación
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