Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn SPA04N60C3XKSA1
Number modelo:SPA04N60C3
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:8700pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
SPP04N60C3, SPB04N60C3
Datos finales SPA04N60C3
Transistor de poder fresco de MOSô
| VDS @ Tjmax | 650 | V |
| RDS (encendido) | 0,95 | Ω |
| Identificación | 4,5 |
Característica
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Carga ultrabaja de la puerta
• La avalancha periódica valoró
• Dv/dt extremo valoró
• Alta capacidad actual máxima
• Transconductancia mejorada
• P-TO-220-3-31: Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Grados máximos
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad | |
| SPP_B | BALNEARIO | |||
Corriente continua del dren TC = °C 25 TC = °C 100 | Identificación | 4,5 2,8 | 4,51) 2,81) | |
| La corriente pulsada del dren, tp limitó por Tjmax | Puls de la identificación | 13,5 | 13,5 | |
| Energía de la avalancha, sola identificación =3.4, VDD =50V del pulso | EAS | 130 | 130 | mJ |
| Energía de la avalancha, alquitrán repetidor limitados por la identificación =4.5A, VDD =50V de Tjmax 2) | OÍDO | 0,4 | 0,4 | mJ |
| Avalancha actual, alquitrán repetidor limitado por Tjmax | IAR | 4,5 | 4,5 | |
| Parásitos atmosféricos del voltaje de fuente de puerta | VGS | ±20 | ±20 | V |
| CA del voltaje de fuente de puerta (f >1Hz) | VGS | ±30 | ±30 | |
| Disipación de poder, TC = 25°C | Ptot | 50 | 31 | W |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, Tstg | -55… +150 | °C | |
Drene la cuesta del voltaje de la fuente | dv/dt | 50 | V/ns | |
P-TO-220-3-1
P-TO-263-3-2 (D2-PAK)
P-TO-220-3-31 (FullPAK)
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| MC14536BDWR2G | 6563 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LT5400BCMS8E-4#PBF | 4130 | LINEAR | 16+ | MSOP |
| MC4741CD | 3556 | MOT | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PIC10F322T-I/OT | 9250 | MICROCHIP | 16+ | BORRACHÍN |
| MC14584BDR2G | 10000 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
| LT1014DSW#TRPBF | 8146 | LT | 14+ | SOP-16 |
| MC145152DW2 | 5186 | FREESCAL | 15+ | COMPENSACIÓN |
| MC78M05CDTX | 10000 | FAI | 16+ | SOT-252 |
| MBM29F040C-90PD-SFL | 14690 | FUJITSU | 16+ | PLCC |
| L6563TR | 3752 | ST | 15+ | SOP14 |
| MUR1560G | 7604 | EN | 16+ | TO-220 |
| MUR840G | 7300 | EN | 16+ | TO-220 |
| MMSZ4682T1G | 25000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| MC68HC908QY4ACDWE | 3820 | FREESCALE | 16+ | SOIC |
| MB8431-90LPFQ | 3226 | FUJI | 16+ | QFP |
| MMSZ5246BT1G | 30000 | EN | 16+ | SOD-123 |
| LM5642MTCX | 1833 | NSC | 14+ | TSSOP-28 |
| PIC16F1829-I/SS | 5263 | MICROCHIP | 16+ | SSOP |
| L4940V12 | 3675 | ST | 14+ | TO-220 |
| RA8875L3N | 1200 | RAIO | 15+ | TQFP-100 |
| MB8421-90LPFQ-GE1 | 3165 | FUJI | 14+ | QFP |
Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn SPA04N60C3XKSA1
Carro de la investigación
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