Los componentes de la electrónica del transistor del Mosfet del poder 2SA2222SG saltan la electrónica de IC
Number modelo:2SA2222SG
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:50pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:55000PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Los componentes de la electrónica del transistor del Mosfet del poder 2SA2222SG saltan la electrónica de IC
Usos
• Conductores de la retransmisión, conductores de la lámpara, conductores del motor
Características
• Adopción del proceso de MBIT
• Capacitancia actual grande (IC=--10A)
• Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor (VCE (se sentó) =--250mV (tipo.))
• Transferencia de alta velocidad (tf=22ns (tipo.))
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Grados máximos absolutos
| Características | Símbolo | Grado | Unidad |
| voltaje de la Colector-base | VCBO | -50 | V |
| voltaje del Colector-emisor | VCEO | -50 | V |
| voltaje de la Emisor-base | VEBO | -6 | V |
| Corriente de colector | IC | -10 | |
| Corriente baja | IB | -13 | |
| Disipación de poder del colector | PC | 25 | mW |
| Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -55 a +150 | °C |
Dimensiones del paquete
unidad: milímetro (tipo) 7529-002
Los componentes de la electrónica del transistor del Mosfet del poder 2SA2222SG saltan la electrónica de IC
Carro de la investigación
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