MOSFET del poder del canal N de los dispositivos electrónicos de los componentes de la electrónica del transistor de IRFP150N
Number modelo:IRFP150N
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:6300pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
Dispositivos electrónicos de los componentes de la electrónica del transistor de IRFP150N
MOSFET del poder del canal N
Características
• En-resistencia ultrabaja - rDS (ENCENDIDO) = 0.030Ω, VGS = 10V
• Modelos de la simulación
- Modelos eléctricos compensados temperatura de PSPICE™ y de SABER©
- Especia y modelos termales de la impedancia de SABER©
- www.fairchildsemi.com
• Corriente máxima contra curva de la anchura de pulso
• Curva del grado de UIS
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Grados máximos absolutos TC = 25oC, salvo especificación de lo contrario
Drene al voltaje de la fuente (nota 1)……………………. VDSS 100 V
Drene para bloquear voltaje (RGS = 20kΩ) (nota 1)……………… VDGR 100 V
Puerta al voltaje de la fuente…………………. ………. VGS ±20 V
Drene continuo actual (TC= 25oC, VGS = 10V) (cuadro 2)…. ………… IDENTIFICACIÓN
Continuo (TC= 100oC, VGS = 10V) (cuadro identificación de 2)…………
Corriente pulsada del dren……………………. .IDM 44 31
Cuadro 4 un grado pulsado A………………… .UIS de la avalancha
Cuadros 6, 14, paladio de la disipación de poder 15…………………
Reduzca la capacidad normal sobre 25oC…………………… 155 de 1,03 W W/oC
Temperatura……… TJ, TSTG -55 del funcionamiento y de almacenamiento a 175 Oc
Temperatura máxima para las ventajas que sueldan en los 0.063in (1.6m m) del caso para 10s. …. .TL
El cuerpo del paquete para 10s, considera Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 Oc Oc
MOSFET del poder del canal N de los dispositivos electrónicos de los componentes de la electrónica del transistor de IRFP150N
Carro de la investigación
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