STN1HNK60 canal N 600v - 8ω - transistores del Mosfet de 1a Dpak/To-92/Ipak/Sot-223 Supermesh

Number modelo:STN1HNK60
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:1570PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

STN1HNK60
CANAL N 600V - 8Ω - MOSFET de 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESH


Características

Ω TÍPICO 8 del RDS (encendido) =
■CAPACIDAD EXTREMADAMENTE ALTA de dv/dt
■EL ESD MEJORÓ CAPACIDAD
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ

■NUEVA PRUEBA PATRÓN DE ALTO VOLTAJE
■LA CARGA DE LA PUERTA MINIMIZÓ

USOS

CARGADORES DE BATERÍA DE LA ENERGÍA BAJA
■FUENTES DE LA ENERGÍA BAJA DEL MODO DE SWITH (SMPS)
■ENERGÍA BAJA, LASTRE, CFL (LÁMPARAS FLUORESCENTES COMPACTAS)


DESCRIPCIÓN

La serie de SuperMESH™ se obtiene con un extremo
optimización de PowerM tira-basado establecido del ST
- Disposición de ESH™. Además de empujar signi de la en-resistencia
- ficantly abajo, el cuidado especial se toma para asegurar un muy bueno
capacidad de dv/dt para los usos más exigentes. Tal
la serie complementa la gama completa del ST de MOSFETs de alto voltaje
incluyendo los productos revolucionarios de MDmesh™.



Grados máximos absolutos

SímboloParámetroValorUnidad
DPAK/IPAKTO-92SOT-223
VDSvoltaje de la Dren-fuente (VGS = 0)600V
VDGRvoltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)600V
VGSVoltaje de fuente de puerta± 30V
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 25°C1,00,40,4
IdentificaciónDrene actual (continuo) en TC = 100°C0,630,250,25
IDM (•)Corriente del dren (pulsada)41,61,6
PTOTDisipación total en TC = 25°C3033,3W
Reducir la capacidad normal de factor0,240,0250,025W/°C
dv/dt (1)Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo3V/ns
Tj
Tstg
Temperatura de empalme de funcionamiento
Temperatura de almacenamiento
-55 a 150°C

(•) Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro
(1) DSI ≤1.0A, di/dt ≤100A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de VDD de Tj.



LISTA COMÚN

M28W160CT70N6E3880ST16+TSOP
74LCX125MTCX7500FAIRCHILD16+TSOP
MC33298P3206EN14+INMERSIÓN
MAX1488ECPD5650MÁXIMA16+INMERSIÓN
MMBT5551LT1G20000EN16+SOT-23
MAX1232ESA+30000MÁXIMA16+COMPENSACIÓN
LA78385192SANYO15+SORBO
MC68000P83610MOT15+INMERSIÓN
L6283-1.32938ST14+QFP
MRF1826386MOTOROLA14+SMD
MAX17435ETG6850MÁXIMA14+QFN
FOD817C2200FSC16+SOP-4
AME8500AEETAF29Z1600AME13+SOT-23
IRF37101500IR14+TO-220
MIC2075-1YM6382MICREL16+COMPENSACIÓN
MRF160637MOT15+MODELO
BLW33156PHI15+SOT122A
BLW32156PHI14+SOT122A
MIC39102YM6490MICREL16+SOP-8
AT28C64B-15SI2300ATMEL16+SOP28
MAX811MEUS-T8041MÁXIMA16+BORRACHÍN
74LVC244AD750016+COMPENSACIÓN
DS1722S+T5760MÁXIMA14+SOP-8
BT136-600E210015+TO-220
PM75CFE060280MITSUBISH13+MOUDLE
BT137S-800G1000015+TO220
MR40206260SHINDENGE14+TO220-7
IRFL9110TR1500IR16+SOT-223
LM317LIPK9368TI15+SOT-89
MJE1300538000FSC16+TO-220
FCX605TA1950ZETEX15+SOT-89
2SC2878A3000TOSHIBA13+TO-92
2SA1220A3000NEC13+TO-126
MIC811LUY10000MICREL16+SOT-143
BD9778F-E25500ROHM16+SOP-8
PIC18F25K20-I/ML4553MICROCHIP14+QFN
74LVXC3245MTCX7500FAIRCHILD15+TSSOP
2SC39643000TOSHIBA16+TO-126
2SD1408Y3000TOSHIBA16+TO-220F
EL 10TPB47M9000SANYO16+SMD
F931A106MAA1950NICHILON14+SMD
AM26LS32ACNSR1600TI13+SOP-16
EL 10TPC68M9000SANYO15+SMD
EL 10TPB33M9000SANYO15+SMD
A6251M5800SANKEN11+DIP-8
A6251M2230SANKEN16+DIP-8
H10613460GOLPEE14+TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I100XILINX15+BGA
FSDM0265RN3460FAIRCHILD16+DIP-8
MOC30835588FSC16+INMERSIÓN
GP1A52HRJ00F3460SOSTENIDO15+INMERSIÓN
PIC24FJ128GB106-I/PT4173MICROCHIP15+TQFP
C393C1380NEC16+DIP-8
DS1220AD-100IND+500DALLAS15+DIP-24
ME15N10-G5956MATSU16+TO-252
D3SB602200SHINDENGE14+TO-220

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STN1HNK60 canal N 600v - 8ω - transistores del Mosfet de 1a Dpak/To-92/Ipak/Sot-223 Supermesh

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