El transistor de poder de SPA08N80C3 CoolMOSTM ofrece dv/dt extremo valoró alta capacidad actual máxima

Number modelo:SPA08N80C3
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

El transistor de poder de SPA08N80C3 CoolMOSTM ofrece dv/dt extremo valoró alta capacidad actual máxima



Características

• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria

VDS800V
R DS (encendido) @ Tj = 25°C máximos0,65
Q g, tipo45nC

• Dv/dt extremo valoró
• Alta capacidad actual máxima
• Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Carga ultrabaja de la puerta
• Capacitancias eficaces ultrabajas
• Paquete completamente aislado (2500 VAC; 1 minuto)
CoolMOSTM 800V diseñado para:
• Uso industrial con alto voltaje del bulto de DC
• Uso que cambia (es decir abrazadera activa adelante)

Grados máximos

ParámetroSímboloCondicionesValorUnidad
Dren continuo current2)YO D°C de T C=25
°C de T C=100
8
5,1
Dren pulsado current3)I D, pulso°C de T C=2524
Energía de la avalancha, solo pulsoE COMOI D=1.6 A, V DD=50 V340mJ
Energía de la avalancha, t repetidor AR 3), 4)E ARI D=8 A, V DD=50 V0,2mJ
Avalancha actual, t repetidor AR 3), 4)YO AR8
Aspereza de /dt del dv del MOSFETdv /dtV DS=0… 640 V50V/ns
Voltaje de fuente de puertaV GSestático
CA (herzios de f >1)
±20
±30
V
Disipación de poderBebé de P°C de T C=2540W
Temperatura del funcionamiento y de almacenamientoT j, stg de T-55… 150°C
Montaje del esfuerzo de torsiónTornillos M2.550Ncm




LISTA COMÚN

M28W160CT70N6E3880ST16+TSOP
74LCX125MTCX7500FAIRCHILD16+TSOP
MC33298P3206EN14+INMERSIÓN
MAX1488ECPD5650MÁXIMA16+INMERSIÓN
MMBT5551LT1G20000EN16+SOT-23
MAX1232ESA+30000MÁXIMA16+COMPENSACIÓN
LA78385192SANYO15+SORBO
MC68000P83610MOT15+INMERSIÓN
L6283-1.32938ST14+QFP
MRF1826386MOTOROLA14+SMD
MAX17435ETG6850MÁXIMA14+QFN
FOD817C2200FSC16+SOP-4
AME8500AEETAF29Z1600AME13+SOT-23
IRF37101500IR14+TO-220
MIC2075-1YM6382MICREL16+COMPENSACIÓN
MRF160637MOT15+MODELO
BLW33156PHI15+SOT122A
BLW32156PHI14+SOT122A
MIC39102YM6490MICREL16+SOP-8
AT28C64B-15SI2300ATMEL16+SOP28
MAX811MEUS-T8041MÁXIMA16+BORRACHÍN
74LVC244AD750016+COMPENSACIÓN
DS1722S+T5760MÁXIMA14+SOP-8
BT136-600E210015+TO-220
PM75CFE060280MITSUBISH13+MOUDLE
BT137S-800G1000015+TO220
MR40206260SHINDENGE14+TO220-7
IRFL9110TR1500IR16+SOT-223
LM317LIPK9368TI15+SOT-89
MJE1300538000FSC16+TO-220
FCX605TA1950ZETEX15+SOT-89
2SC2878A3000TOSHIBA13+TO-92
2SA1220A3000NEC13+TO-126
MIC811LUY10000MICREL16+SOT-143
BD9778F-E25500ROHM16+SOP-8
PIC18F25K20-I/ML4553MICROCHIP14+QFN
74LVXC3245MTCX7500FAIRCHILD15+TSSOP
2SC39643000TOSHIBA16+TO-126
2SD1408Y3000TOSHIBA16+TO-220F
EL 10TPB47M9000SANYO16+SMD
F931A106MAA1950NICHILON14+SMD
AM26LS32ACNSR1600TI13+SOP-16
EL 10TPC68M9000SANYO15+SMD
EL 10TPB33M9000SANYO15+SMD
A6251M5800SANKEN11+DIP-8
A6251M2230SANKEN16+DIP-8
H10613460GOLPEE14+TO-220
XC5CSX95T-2FF1136I100XILINX15+BGA
FSDM0265RN3460FAIRCHILD16+DIP-8
MOC30835588FSC16+INMERSIÓN
GP1A52HRJ00F3460SOSTENIDO15+INMERSIÓN
PIC24FJ128GB106-I/PT4173MICROCHIP15+TQFP
C393C1380NEC16+DIP-8
DS1220AD-100IND+500DALLAS15+DIP-24
ME15N10-G5956MATSU16+TO-252
D3SB602200SHINDENGE14+TO-220

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El transistor de poder de SPA08N80C3 CoolMOSTM ofrece dv/dt extremo valoró alta capacidad actual máxima

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