Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G

Number modelo:MJ15025G
Lugar del origen:México
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:260pcs
Plazo de expedición:1 día
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Semiconductor de Mosfet complementario de los transistores de poder del silicio MJ15025G


− MJ15023, MJ15025* DE PNP

Transistores de poder del silicio

Los MJ15023 y los MJ15025 son transistores de poder de PowerBase diseñados para el audio del poder más elevado, los posicionadores principales del disco y otros usos lineares.


Características

• Alta área de funcionamiento seguro (el 100% probado) −2 A @ 80 V

• Alto hFE del − del aumento actual de DC = 15 (minuto) @ IC = 8 ADC

• Los paquetes de Pb−Free son Available*


MJ1502x = código de dispositivo

x = 3 o 5

G = paquete de Pb−Free

= ubicación de la asamblea

Y = año

WW = semana de trabajo

MEX = país de origen


INFORMACIÓN EL ORDENAR

DispositivoPaqueteEnvío
MJ15023TO−204100 unidades/bandeja
MJ15023G

TO−204

(Pb−Free)

100 unidades/bandeja
MJ15025TO−204100 unidades/bandeja
MJ15025G

TO−204

(Pb−Free)

100 unidades/bandeja

Hay dos limitaciones en la capacidad powerhandling de un transistor: temperatura de empalme media y segunda avería. Las curvas del área de funcionamiento seguro indican que el − VCE de IC limita del transistor que se debe observar para la operación confiable; es decir, el transistor no se debe sujetar a la mayor disipación que las curvas indican.


Los datos del cuadro 1 se basan en TJ (PK) = 200C; El TC es variable dependiendo de condiciones. En las altas temperaturas de caso, las limitaciones termales reducirán el poder que se puede manejar a los valores menos que las limitaciones impuestas por la segunda avería.


CARACTERÍSTICAS TÍPICAS


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