IRF640NSTRLPBF avanzó los circuitos digitales del ic de los chips CI comunes de la tecnología de proceso
Number modelo:IRF640NSTRLPBF
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Capacidad de la fuente:290PCS
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Lista COMÚN
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | EN | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | BORRACHÍN | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | MÓDULO |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
| 7MBR50SB120 | 230 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
| MAX209EWG | 7850 | MÁXIMA | 14+ | COMPENSACIÓN |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | EN | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | EN | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | CIRRO | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | ENREJADO | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | EN | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
| 6RI100E-080 | 958 | FUJI | 15+ | MÓDULO |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | MÓDULO |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ANUNCIO | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | MÓDULO |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MÓDULO |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
MOSFET del poder de HEXFET®
¿? ►Proceso avanzado
►¿Tecnología? ¿Grado dinámico de dv/dt?
►¿temperatura de funcionamiento 175°C?
►¿Transferencia rápida?
►¿Completamente avalancha clasificada?
►¿Facilidad de ser paralelo a?
►Requisitos simples de la impulsión
►¿? Sin plomo
Descripción
Los MOSFETs del poder de la quinta generación HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria.
El D2Pak es un paquete superficial del poder del soporte capaz de acomodar a morir los tamaños hasta HEX-4. Proporciona la capacidad del poder más alto y el onresistance posible más bajo de cualquier paquete superficial existente del soporte. El D2Pak es conveniente para los usos de gran intensidad debido a su resistencia interna baja de la conexión y puede disiparse hasta 2.0W en un uso superficial típico del soporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso lowprofile
IRF640NSTRLPBF avanzó los circuitos digitales del ic de los chips CI comunes de la tecnología de proceso
Carro de la investigación
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