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Componentes de R1LP0408CSP-7LC Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC
los 4M SRAM (512-kword] de 8 bits
Una parte de la lista común
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Descripción
El R1LP0408C-C es un 4-Mbit que RAM estático organizó el × de 512 kword de 8 bits. R1LP0408 C-C Series ha realizado un rendimiento más de alta densidad, más alto y el bajo consumo de energía empleando la tecnología de proceso del Cmos (célula de memoria 6-transistor). El R1LP0408 C-C Series ofrece a energía baja la disipación de poder espera; por lo tanto, es conveniente para los sistemas de copia de seguridad de batería. Ha empaquetado en la COMPENSACIÓN de 32 pernos, 32 perno TSOP II.
Características
• Sola fuente de 5 V: ± el 10% de 5 V
• Tiempo de acceso: 55/70 ns (máximo)
• Disipación de poder: activo: recurso seguro del de 10 mW/MHz (tipo): µW 4 (tipo)
• Memoria totalmente estática. ningún reloj o estroboscópico que mide el tiempo requerido
• Igualdad de acceso y duraciones de ciclo
• Entrada y salida comunes de datos. salida del estado del tres
• Directamente TTL compatible. todas las entradas y salidas
• Operación de reserva de batería.
• Temperatura de funcionamiento: −20 a +70°C
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