Reguladores lineares del marginado ultrabajo rápido electrónico de los chips CI 1.5A de LP3875ES-ADJ

LP3875-ADJ

reguladores lineares del marginado ultrabajo rápido 1.5A

Descripción general

Los reguladores lineares ultra del bajo-marginado rápido de LP3875-ADJ actúan desde un +2.5V a la fuente de la entrada de +7.0V. Estos reguladores lineares del marginado ultrabajo responder muy rápidamente a los cambios decisivos en la carga, que los hace convenientes para los usos del microprocesador de la baja tensión. El LP3875-ADJ se desarrolla en un proceso del Cmos que permita a la independiente quieta baja de la operación actual de la corriente de la carga de la salida. Este proceso del Cmos también permite que el LP3875-ADJ actúe debajo extremadamente - condiciones bajas del marginado.

Voltaje del marginado: Voltaje ultrabajo del marginado; típicamente 38mV en la corriente de la carga 150mA y 380mV en la corriente de la carga 1.5A.

Pin Current de tierra: Típicamente 6mA en la corriente de la carga 1.5A.

Modo del cierre: Típicamente actual quieto 10nA cuando el perno del cierre se tira bajo.

Voltaje de salida ajustable: El voltaje de salida se puede programar vía dos resistores externos.

Características

• Voltaje ultrabajo del marginado

• Corriente de tierra baja del perno

• Regulación de la carga de 0,06%

• corriente quieta 10nA en modo del cierre

• Corriente de salida garantizada de 1.5A DC

• Disponible en los paquetes TO-263, TO-220 y SOT-223

• Requisitos mínimos del condensador de la salida

• Protección de la temperatura excesiva/de la sobreintensidad de corriente

• −40˚C a la gama de temperaturas de empalme de +125˚C

Usos

• Fuentes de alimentación del microprocesador

• Adaptadores del autobús de GTL, de GTL+, de BTL, y de SSTL

• Fuentes de alimentación para DSPs

• Adaptador de SCSI

• Reguladores del poste

• Reguladores lineares de la eficacia alta

• Cargadores de batería

• Otros usos con pilas

Circuito típico del uso

Diagramas de conexión

Grados máximos absolutos (nota 1)

Si se requieren los dispositivos especificados militares/aeroespaciales, entre en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

Gama de temperaturas de almacenamiento −65˚C a +150˚C

Temperatura de la ventaja (el soldar, sec 5.) 260˚C

Grado del ESD (nota 3) 2 kilovoltios

Disipación de poder (nota 2) Internamente limitado

Voltaje de fuente entrado (supervivencia) −0.3V a +7.5V

Voltaje entrado del cierre (supervivencia) −0.3V a +7.5V

Voltaje de salida (supervivencia), (nota 6), (nota 7) −0.3V a +6.0V

IOUT (supervivencia) Cortocircuito protegido

Grados de funcionamiento

Voltaje de fuente entrado (funcionamiento), (nota 10) 2.5V a 7.0V

Voltaje entrado del cierre (funcionamiento) −0.3V a 7.0V

Corriente de funcionamiento máxima (DC) 1.5A

Temporeros de funcionamiento del empalme. Gama −40˚C a +125˚C

Nota 1: Losgradosmáximosabsolutosindicanlímitesmás alládequédañoaldispositivopuedeocurrir. Losgradosdefuncionamientoindicanlascondicionesparalas cualeseldispositivose piensapara serfuncional, perono garantizanlímitesdefuncionamientoespecífico. Paralasespecificacionesylascondicionesdepruebagarantizadas, vealascaracterísticaseléctricas. Lasespecificacionesgarantizadassolicitansolamentelascondicionesdepruebaenumeraron. Algunascaracterísticasdefuncionamientopuedendegradarcuandoeldispositivono se actúabajocondicionesdepruebamencionadas.

Nota 2: Enlastemperaturaselevadas, losdispositivosse debenreducir la capacidad normalbasadosenresistenciatermaldelpaquete. LosdispositivosenelpaqueteTO220se debenreducir la capacidad normalenelθjA=50˚C/W(con0.5in2,1oz. áreade cobre), empalme-a-ambiente(sineldisipador de calor). Losdispositivosenelpaquetedel superficie-soporteTO263se debenreducir la capacidad normalenelθjA=60˚C/W(con0.5in2,1oz. áreade cobre), empalme-a-ambiente. ElpaqueteSOT-223se debereducir la capacidad normalenelθjA=90˚C/W(con0.5in2,1oz. áreade cobre), empalme-a-ambiente.

Nota 3: Elmodelodelcuerpohumanoesuncondensador100pFdescargadoa travésde unresistor1.5kΩencadaperno.

Nota 4: Losnúmerostípicosestánen25˚Cyrepresentanlanormaparamétricamás probable.

Nota 5: Loslímitesson garantizadosporlaprueba, eldiseño, olacorrelaciónestadística.

Nota 6: Siestá utilizadaenunsistemade la dual-fuentedondelacargadelreguladorse vuelvea unafuentenegativa, lasalidase debediodo-afianzar con abrazaderapara moler.

Nota 7: LaestructuradelPMOSde lasalidacontieneundiodoentrelosterminalesdeVINydeVOUT. Estediodoesnormalmenterevésen polarización negativa. Estediodoconseguirápolarizado hacia adelantesielvoltajeenelterminaldesalidase fuerzapara sermás altoqueelvoltajeenelterminalde laentrada. Estediodopuedesoportartípicamente200mAde lacorrientedeDCy1Ampde lacorrientemáxima.

Nota 8: Lalínearegulacióndelvoltaje de salidase definecomoelcambioenvoltaje de salidadelvalornominaldebidocambiarenlalineadeentradavoltaje. Laregulaciónde lacargadelvoltaje de salidase definecomoelcambioenvoltaje de salidadelvalornominaldebidocambiarencorrientede lacarga.

Nota 9: Elvoltajedelmarginadose definecomolaentradamínimapara hacer salirelvoltajediferenciadoenel cuallasalidacaeel2%debajodelvalornominal. Laespecificacióndelvoltajedelmarginadose aplicasolamentea losvoltajes de salidade2.5Vyarriba. Paralosvoltajes de salidadebajode2.5V, elvoltajede lasalidano esnadaperolaentradapara hacer salirdiferencial, desdeelvoltajedeentradamínimoes2.5V.

Nota 10: ElvalordefuncionamientomínimoparaVINesigualacualquier[VOUT(NOM)+VDROPOUT]oa2.5V, cualquieraesmayor.

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