Página linear de los circuitos integrados de M25PE16-VMW6TG - memoria Flash serial borrable

Number modelo:M25PE16-VMW6TG
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:50000pcs
Plazo de expedición:1 día
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

M25PE16

16-Mbit, memoria Flash serial página-borrable con la byte-alterabilidad, autobús de 75 megaciclos SPI, pinout estándar


Características

Interfaz en serie compatible del autobús de SPI

■memoria Flash página-borrable 16-Mbit

■Tamaño de página: 256 bytes

– La página escribe en el ms 11 (típico)

– Programa de la página en 0,8 ms (típicos)

– Borrado de la página en el ms 10 (típico)

■Borrado del subsector (4 kilobytes)


Borrado del sector (64 kilobytes)

■Borrado a granel (16 Mbits)

■2,7 voltaje de fuente de V a de 3,6 V solo

■Tarifa de reloj de 75 megaciclos (máximo)

■ΜA profundo del modo 1 del poder-abajo (típico)

■Firma electrónica

– Firma de dos bytes estándar de JEDEC (8015h)

– Código de ID exclusivo (UID) con 16 bytes de inalterable, disponible por requerimiento del cliente


El software escribe la protección en una base del sector 64-Kbyte

■El hardware escribe la protección de la zona de memoria seleccionada usando los pedazos BP0, BP1 y BP2

■Más de 100 000 escriben ciclos

■Más de 20 años de retención de los datos

■Paquetes – ECOPACK® (RoHS obediente)


Descripción

El M25PE16 es un 16-Mbit (memoria Flash paginada serial del × de 2 Mbits 8) alcanzada por un autobús SPI-compatible de alta velocidad.

La memoria se puede escribir o los 1 a 256 bytes programados a la vez, usando la página para escribir o para paginar la instrucción de programa. La página escribe la instrucción consiste en un ciclo integrado del borrado de la página seguido por un ciclo de programa de la página.


La memoria se organiza como 32 sectores que sean más futuros divididos para arriba en 16 subsectores cada uno (512 subsectores en total). Cada sector contiene 256 páginas y cada subsector contiene 16 páginas. Cada página es el byte 256 de par en par. Así, la memoria entera se puede ver como consistir en 8192 páginas, o 2.097.152 bytes.


La memoria se puede borrar una página a la vez, usando la instrucción del borrado de la página, un subsector a la vez, usando la instrucción del borrado del subsector, un sector a la vez, usando la instrucción del borrado del sector, o en conjunto, usando la instrucción a granel del borrado.


La memoria puede ser escribe - protegido por el soporte físico o el software usando características de protección volátiles y permanentes mezcladas, dependiendo de las necesidades del uso. La granulosidad de la protección está de 64 kilobytes (granulosidad del sector).


Grado máximo

Subrayar el dispositivo sobre el grado enumerado en los grados máximos absolutos puede causar daño permanente al dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones de funcionamiento de esta especificación no se implica. La exposición a las condiciones del clasificación de máximo absoluto por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.


SímboloParámetroMínimo.Máximo.Unidad
TSTGTemperatura de almacenamiento– 65150°C
TLEADTemperatura de la ventaja durante soldar(1)°C
VIOEntrada y voltaje de salida (en cuanto a la tierra)– 0,6VCC + 0,6V
VCCVoltaje de fuente– 0,64,0V
VESDVoltaje de la descarga electrostática (modelo del cuerpo humano) (2)– 20002000V

Nota:

1. Obediente con JEDEC Std J-STD-020C (para el pequeño cuerpo, asamblea del Sn-Pb o del Pb), la especificación de Numonyx ECOPACK® 7191395, y el directorio europeo en restricciones en las sustancias peligrosas (RoHS) 2002/95/EU.

2. JEDEC Std JESD22-A114A (Ω PF, R1=1500 de C1=100, Ω R2=500).


Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
MAX668EUB+5357MÁXIMA10+MSOP
MURF860G7793EN12+TO-220
PBSS5540Z1000016+SOT-23
MCR8SNG5788EN13+TO-220
LM6181IMX-81636NSC15+SOP-8
MC74HC4066DR2G38000EN14+COMPENSACIÓN
CSD100602520HWCAT14+QFP
CSD060602509HWCAT15+QFP
MCP601T-I/OT10000MICROCHIP16+SOT23-5
BKP2125HS600-T23000TAIYO15+SMD
BK1608LM252-T52000TAIYO15+SMD
CLC001AJE1860NS11+SOP8
LM5106MM3219TI15+VSSOP-10
XRT7300IV500EXAR00+QFP44
CS5530A-UCE936NS00+BGA
CS5536AD914AMD11+BGA
PIC16F887-I/SP4768MICROCHIP15+INMERSIÓN
LT3580EMS8E13382LINEAR16+MSOP
MC9S08AC128CFUE4522FREESCALE14+QFP
LAN91C111-NS980SMSC13+QFP-128
NCP1014AP100G8640EN11+INMERSIÓN
NCP1055P100G9360EN11+INMERSIÓN
NCP1014ST100T3G8800EN10+SOT-223
MAX8647ETE8773MÁXIMA16+QFN
MP020-55679P.M.16+COMPENSACIÓN
NCP1075P065G9520EN13+INMERSIÓN
NCP1027P100G9120EN15+INMERSIÓN
NCP1014AP065G8560EN13+INMERSIÓN
NCP1027P065G9040EN10+INMERSIÓN
NCP1014APL065R2G8720EN15+SMD

China Página linear de los circuitos integrados de M25PE16-VMW6TG - memoria Flash serial borrable supplier

Página linear de los circuitos integrados de M25PE16-VMW6TG - memoria Flash serial borrable

Carro de la investigación 0