ARSENAL DE GRAN INTENSIDAD DE ALTO VOLTAJE del TRANSISTOR del chip CI DARLICM GROUPON de ULN2003AN

Number modelo:ULN2003AN
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10000pcs
Plazo de expedición:1 día
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

ULN2001A, ULN2002A, ULN2003A, ULN2004A, ULQ2003A, ULQ2004A

ARSENAL DE GRAN INTENSIDAD DE ALTO VOLTAJE DEL TRANSISTOR DE DARLICM GROUPON


• corriente de colector 500-mA-Rated (de salida única)

• Salidas de alto voltaje… 50 V

• Diodos de la abrazadera de la salida

• Entradas compatibles con los diversos tipos de lógica

• Usos del Retransmisión-conductor


descripción

Los ULN2001A, los ULN2002A, los ULN2003A, los ULN2004A, los ULQ2003A, y los ULQ2004A son órdenes de alto voltaje, de gran intensidad del transistor de DarliCM GROUPon. Cada uno consiste en siete pares de DarliCM GROUPon del npn que ofrezcan salidas de alto voltaje con los diodos de la abrazadera del común-cátodo para cambiar cargas inductivas. El grado colector-actual de un solo par de DarliCM GROUPon es 500 mA.


Los pares de DarliCM GROUPon se pueden ser paralelo a para una capacidad más de gran intensidad. Los usos incluyen conductores de la retransmisión, conductores de martillo, conductores de la lámpara, conductores de la exhibición (descarga del LED y de gas), la línea conductores, y almacenadores intermediarios de la lógica. Para (de otra manera permutable) las versiones 100-V del ULN2003A y del ULN2004A, vea el SN75468 y el SN75469, respectivamente.


El ULN2001A es un arsenal de fines generales y se puede utilizar con las tecnologías de TTL y del Cmos. El ULN2002A se diseña específicamente para el uso con 14-V a los dispositivos de 25-V PMOS. Cada entrada de este dispositivo tiene un diodo Zener y un resistor en serie para controlar el actual de entrada a un límite seguro. Los ULN2003A y los ULQ2003A tienen un resistor bajo de 2,7 series del kΩ para cada par de DarliCM GROUPon para la operación directamente con los dispositivos de TTL o de 5-V Cmos.


Los ULN2004A y los ULQ2004A tienen un resistor bajo 10,5 de la serie del kΩ para permitir la operación directamente de los dispositivos del Cmos que utilizan voltajes de fuente de 6 V a 15 V. La corriente de entrada requerida del ULN/ULQ2004A está debajo de la del ULN/ULQ2003A, y el voltaje requerido es menos que lo requerida por el ULN2002A.


diagrama de lógica


diagramas esquemáticos (cada par de DarliCM GROUPon)


grados máximos absolutos en la temperatura del libre-aire 25°C (a menos que se indicare en forma diferente) †

voltaje del Colector-emisor……………………………………………. 50 V

Voltaje reverso del diodo de la abrazadera (véase la nota 1)………………………………. 50 V

Voltaje entrado, VI (véase la nota 1)………………………………………… 30 V

Corriente de colector máxima (véase los cuadros 14 y 15)…………………………… 500 mA

Corriente de la abrazadera de la salida, IOK…………………………………………. 500 mA

Corriente total del emisor-terminal………………………………………. −2.5 A

Gama de temperaturas de funcionamiento del libre-aire, TA, ULN200xA…………………… −20°C a 70°C

ULQ200xA…………………… −40°C a 85°C

ULQ200xAT…………………. −40°C a 105°C

Impedancia termal del paquete, θJA (véase las notas 2 y 3): Paquete de D………………. 73°C/W

Paquete de N………………. 67°C/W

Paquete……………… 64°C/W del NS

Paquete del picovatio……………. 108°C/W

Impedancia termal del paquete, θJC (véase las notas 4 y 5): Paquete de D………………. 36°C/W

Paquete de N………………. 54°C/W

Temperatura de empalme virtual de funcionamiento, TJ………………………………… 150°C

Lleve la temperatura 1,6 milímetros (1/16 pulgada) del caso por 10 segundos…………………. 260°C

Gama de temperaturas de almacenamiento, Tstg………………………………… −65°C a 150°C


El † subraya más allá de ésos enumerados bajo “grados máximos absolutos” puede causar daño permanente al dispositivo. Éstos son grados de la tensión solamente, y la operación funcional del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones más allá de ésos indicados bajo “condiciones de funcionamiento recomendadas” no se implica. La exposición a las condiciones absoluto-máximo-clasificadas por períodos extendidos puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

NOTAS:

1. Todos los valores del voltaje están en cuanto al terminal E del emisor/del substrato, a menos que se indicare en forma diferente.

2. La disipación de poder máxima es una función de TJ (máximo), del θJA, y de TA. La disipación de poder máxima permitida en cualquier temperatura ambiente permisible es paladio = el − (máximo) TA (de TJ)/θJA. El funcionamiento en el TJ máximo absoluto de 150°C puede afectar a confiabilidad.

3. La impedancia termal del paquete se calcula de acuerdo con JESD 51-7.

4. La disipación de poder máxima es una función de TJ (máximo), del θJC, y del TC. La disipación de poder máxima permitida en cualquier temperatura de caso permisible es paladio = el − (máximo) TC (de TJ)/θJC. El funcionamiento en el TJ máximo absoluto de 150°C puede afectar a confiabilidad.

5. La impedancia termal del paquete se calcula de acuerdo con MIL-STD-883.


Oferta común (venta caliente)

Número de parte.CantidadMarcaD/CPaquete
PM6650-2J106QUICKLCNUEVOQFN
ATXMEGA16D4-MH105ATMELNUEVOQFN
SCD128310QCE105INTELNUEVOMQFP100
M5M51008CFO-70H104OKINUEVOSOP-32
PSN3118GDV101TINUEVOBGA
21150-AA100DIGITSLNUEVOQFP
AT45DB041D100ATMELNUEVOSOP8
K1S321615A-EE85100SAMSUNGNUEVOBGA
M6606100OKINUEVOQFP
MIC2772-L3L3YML TR100MICRELNUEVOMLF22D-08L
RGR6200-1D100QUALCOMMNUEVOQFN
PMB6725XFV13850NUEVOTQFP100
ADM696ARZ-REEL200ANUNCIONUEVOSOP-16
ICL3221IAZ-T2200INTERSILNUEVOSSOP
M57704SL200MITSUBISNUEVOSMD
MRF9080300FREESCALENUEVONI-360
ADG441BRZ3220ANUNCIONUEVOSOP16
MIC2937A-5.0With usted6800MICRELNUEVOTO263-3
PEX8604-BA50BCG520PLXNUEVOBGA
HDMP-1536A200AGILENTNUEVOQFP
MRF21085200FREESCALENUEVONI-360
MM16461000MITSUMINUEVOHSOP
DP83840AVCE4500NSNUEVOQFP
PS29GL128P11TF102280SPANSIONNUEVOTSSOP
LC75396NE800SANYONUEVOQFP64
ST10R167-Q6200STNUEVOQFP
WM8775SEDS/R1900WOLFSONNUEVOSSOP
81F641642D-102FN200FUJINUEVOCOMPENSACIÓN
ISPLS12128VE-135LT176200ENREJADONUEVOQFP
SAA7113H/V26000NUEVOQFP

China ARSENAL DE GRAN INTENSIDAD DE ALTO VOLTAJE del TRANSISTOR del chip CI DARLICM GROUPON de ULN2003AN supplier

ARSENAL DE GRAN INTENSIDAD DE ALTO VOLTAJE del TRANSISTOR del chip CI DARLICM GROUPON de ULN2003AN

Carro de la investigación 0