DG441DJ IC electrónico Chips Monolithic, patio SPST, interruptores análogos del Cmos

DG441, DG442

Monolítico, patio SPST, interruptores análogos del Cmos

Los interruptores análogos monolíticos de DG441 y de DG442 Cmos son reemplazos de la reunión informal para los dispositivos de la serie popular DG201A y DG202. Incluyen cuatro solos interruptores análogos del tiro del solo polo independiente (SPST), las entradas digitales compatibles de TTL y del Cmos, y una referencia del voltaje para los umbrales de la lógica.

Estos interruptores ofrecen un análogo más bajo EN resistencia (<85>ENCENDIDO < 250ns="">

Las mejoras en la serie DG441 se llevan a cabo posibles usando un proceso de alto voltaje de la silicio-puerta. Una capa epitaxial previene el cierre-para arriba asociado a más viejas tecnologías del Cmos. Los permisos máximos de la gama del voltaje 44V que controlan las señales 40VP-P. Las fuentes de alimentación pueden ser asimétricas de +5V a +34V, o partir de ±5V a ±20V.

Los cuatro interruptores son bilaterales, hecho juego igualmente para la CA o las señales bidireccionales. EN la variación de la resistencia con las señales analógicas es muy bajo sobre una gama de la entrada análoga de ±5V. Los interruptores en el DG441 y el DG442 son idénticos, diferenciando solamente en la polaridad de la lógica de selección.

Características

• EN la resistencia (máxima)……………………. 85Ω

• Bajo consumo de energía (paladio)……………. <1>

• Acción que cambia rápida

- tonelada (máxima)…………………………. 250ns

- ricachón (máximo, DG441)…………………… 120ns

• Inyección baja de la carga

• Mejora de DG201A/DG202

• TTL, Cmos compatible

• Operación sola o de la fractura de la fuente

Usos

• Transferencia audio

• Sistemas con pilas

• De adquisición de datos

• Hola-Rel sistemas

• Circuitos de muestra y de control

• Sistemas de comunicación

• Equipo de prueba automática

Pinout

Diagramas funcionales

Diagrama esquemático (One Channel)

Grados máximos absolutos

V+ a v…………………………………… 44.0V

Tierra al v. …………………………………. 25V

Entradas de Digitaces, CONTRA, VD (nota 1). …. (V) -2V a (V+) + 2V o 30mA, cualquiera ocurre primero

Corriente continua (cualquier terminal)………………… 30mA

Corriente de pico, S o D (pulsó 1ms, ciclo de trabajo del 10% máximo). 100mA

Condiciones de funcionamiento

Gama de temperaturas……………………. -40℃ a 85℃

Gama del voltaje…………………………. ±20V (máximo)

Baja tensión entrada………………………. 0.8V (máximo)

Alto voltaje entrado………………………… 2.4V (minuto)

Subida y tiempo de caída entrados………………………. ≤20ns

Información termal

Resistencia termal (típica, nota 2) θJA (℃/W)

Paquete de PDIP………………………. 90

Paquete de SOIC………………………. 115

Temperatura de empalme máxima (paquetes plásticos)…… .150℃

Gama de temperaturas máxima de almacenamiento. ……… -65℃ a 150℃

Temperatura máxima de la ventaja (10s que suelda)………… 300℃

(SOIC - extremidades de la ventaja únicas)

PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un único grado de la tensión y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.

NOTAS:

1. Las señales en SX, DX o INX excediendo V+ o el v serán afianzadas con abrazadera por los diodos internos. Corriente de diodo delantera del límite a los grados actuales del máximo.

2. el θJA se mide con el componente montó en un tablero de PC de la evaluación en aire libre.

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