Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A
Number modelo:FDP085N10A
Lugar del origen:América
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5600pcs
Plazo de expedición:1 día
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
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Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A
Características
• RDS (encendido) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 96A
• Velocidad que cambia rápida
• Carga baja de la puerta
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual
• RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de
PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado
especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero
mantener funcionamiento que cambia superior.
Uso
• DC a los convertidores de DC
• Rectificación síncrona para la fuente de alimentación de la telecomunicación
• Cargador de batería
• Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor de CA
• UPS off-line
Características termales
| Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
| RθJC | Resistencia termal, empalme a encajonar | 0,8 | °C/W |
| RθJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 62,5 | °C/W |
Características de funcionamiento típicas
Una parte de la lista común
| ZM4749A | 10000 | VISHAY | 15+ | DO-213AB |
| ZM4746A | 5000 | VISHAY | 15+ | DO-213AB |
| MURA160T3G | 25000 | EN | 16+ | DO-214 |
| MRA4005T3G | 20000 | EN | 16+ | DO-214AC |
| B240A-13-F | 5000 | DIODOS | 15+ | SMA |
| B260A-13-F | 5000 | DIODOS | 16+ | SMA |
| B1100-13-F | 10000 | DIODOS | 16+ | SMA |
| MURA215T3G | 40000 | EN | 16+ | DO-214 |
| 0603ESDA-TR1 | 20500 | TONELERO | 15+ | SMD |
| DL4007-13-F | 8100 | DIODOS | 15+ | LL41 |
| BAT54WS | 15000 | PANJIN | 15+ | SOD323 |
| DL4004 | 8160 | MCC | 15+ | LL41 |
| BZX85C15 | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-41 |
| MCR100-6 | 20000 | EN | 16+ | SOT-23 |
| MUR160RLG | 25000 | EN | 16+ | DO-41 |
| BAT42 | 15000 | VISHAY | 14+ | DO-35 |
| BZX55C12 | 10000 | ST | 16+ | DO-35 |
| DB3 | 1275 | ST | 13+ | DO-35 |
| 1N4148 | 9000 | ST | 16+ | DO-35 |
| 1N4761A-TAP | 9000 | VISHAY | 15+ | DO-41 |
| DL4001-13-F | 8190 | DIODOS | 15+ | LL41 |
| PIC16F1823-I/SL | 5318 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| P89LPC935FDH | 3340 | 14+ | TSSOP | |
| MSS6132-103MLC | 6904 | COILCRAFT | 10+ | SMD |
| MSS1278-184KLD | 6897 | COILCRAFT | 16+ | SMD |
| NLFC453232T-151K | 38000 | TDK | 16+ | SMD |
| PCF8576CT/1 | 13160 | 16+ | SSOP | |
| LM2940CSX-5.0 | 10000 | NSC | 15+ | TO-263 |
| LQH43MN470K03L | 30000 | MURATA | 16+ | SMD |
| LQH43CN330K03L | 38000 | MURATA | 16+ | SMD |
| MSS1260-103MLD | 6883 | COILCRAFT | 10+ | SMD |
| FODM121R1 | 2200 | FAIRCHILD | 15+ | SOP-4 |
Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A
Carro de la investigación
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