Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

Number modelo:FDP085N10A
Lugar del origen:América
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5600pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

Características

• RDS (encendido) = 7.35mΩ (tipo.) @ VGS = 10V, identificación = 96A

• Velocidad que cambia rápida

• Carga baja de la puerta

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (encendido)

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual

• RoHS obediente
Descripción general
Este MOSFET del canal N se produce usando el proceso anticipado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del en-estado pero mantener funcionamiento que cambia superior.
Uso
• DC a los convertidores de DC

• Rectificación síncrona para la fuente de alimentación de la telecomunicación

• Cargador de batería

• Impulsiones y sistemas de alimentación ininterrumpida del motor de CA

• UPS off-line

Características termales

SímboloParámetroGradosUnidades
RθJCResistencia termal, empalme a encajonar0,8°C/W
RθJAResistencia termal, empalme a ambiente62,5°C/W


Características de funcionamiento típicas


Una parte de la lista común

ZM4749A10000VISHAY15+DO-213AB
ZM4746A5000VISHAY15+DO-213AB
MURA160T3G25000EN16+DO-214
MRA4005T3G20000EN16+DO-214AC
B240A-13-F5000DIODOS15+SMA
B260A-13-F5000DIODOS16+SMA
B1100-13-F10000DIODOS16+SMA
MURA215T3G40000EN16+DO-214
0603ESDA-TR120500TONELERO15+SMD
DL4007-13-F8100DIODOS15+LL41
BAT54WS15000PANJIN15+SOD323
DL40048160MCC15+LL41
BZX85C155000VISHAY14+DO-41
MCR100-620000EN16+SOT-23
MUR160RLG25000EN16+DO-41
BAT4215000VISHAY14+DO-35
BZX55C1210000ST16+DO-35
DB31275ST13+DO-35
1N41489000ST16+DO-35
1N4761A-TAP9000VISHAY15+DO-41
DL4001-13-F8190DIODOS15+LL41
PIC16F1823-I/SL5318MICROCHIP16+COMPENSACIÓN
P89LPC935FDH334014+TSSOP
MSS6132-103MLC6904COILCRAFT10+SMD
MSS1278-184KLD6897COILCRAFT16+SMD
NLFC453232T-151K38000TDK16+SMD
PCF8576CT/11316016+SSOP
LM2940CSX-5.010000NSC15+TO-263
LQH43MN470K03L30000MURATA16+SMD
LQH43CN330K03L38000MURATA16+SMD
MSS1260-103MLD6883COILCRAFT10+SMD
FODM121R12200FAIRCHILD15+SOP-4
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Transistores del Mosfet del poder más elevado del MOSFET de PowerTrench del canal N de FDP085N10A

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