GaAs Ired y foto - transistor, regulador programable TLP504A-2
Number modelo:TLP504A-2
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:4800pcs
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
Photocoupler GaAs Ired y Photo−Transistor de TOSHIBA
TLP504A, TLP504A−2
CA de los reguladores programables/retransmisión de estado sólido del módulo de DC−Input
TOSHIBA TLP504A y TLP504A−2 consiste en un photo−transistor ópticamente juntado a un diodo de emisión infrarrojo del arseniuro de galio.
El TLP504A ofrece dos canales aislados en un paquete plástico de la INMERSIÓN de ocho ventajas, mientras que el TLP504A−2 proporciona cuatro canales aislados en un paquete plástico de la INMERSIÓN dieciséis.
• Voltaje de Collector−emitter: 55 V (mínimos)
• Ratio de transferencia actual: fila (mínima) GB del 50%: 100% (mínimo)
• Voltaje del aislamiento: 2500 Vrms (mínimo)
• La UL reconoció: UL1577,
No. E67349 del fichero
Pin Configurations (visión superior)
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)
| Característica | Símbolo | Grado | Unidad | ||
| TLP504A | TLP504A−2 | ||||
| LED | Corriente delantera | SI | 60 | 50 | mA |
| El reducir la capacidad normal actual delantero | ΔIF/°C | −0.7 (≥ de TA 39°C) | −0.5 (≥ de TA 25°C) | mA/°C | |
| Pulse adelante actual | IFP | 1 (100μs pulso, 100pps) | |||
| Voltaje reverso | VR | 5 | V | ||
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | ||
| Detector | Voltaje de Collector−emitter | VCEO | 55 | V | |
| Voltaje de Emitter−collector | VECO | 7 | V | ||
| Corriente de colector | IC | 50 | mA | ||
| Disipación de poder del colector (1 circuito) | PC | 150 | 100 | mW | |
El reducir la capacidad normal de la disipación de poder del colector (1 ≥ del circuito TA 25°C) | ΔPC/°C | -1,5 | -1,0 | mW/°C | |
| Temperatura de empalme | Tj | 125 | °C | ||
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | −55~150 | °C | ||
| Gama de temperaturas de funcionamiento | Topr | −55~100 | °C | ||
| Temperatura que suelda de la ventaja | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
| Disipación de poder total del paquete | RT | 250 | 150 | mW | |
El reducir la capacidad normal total de la disipación de poder del paquete (≥ de TA 25°C) | ΔPT/°C | -2,5 | -1,5 | mW/°C | |
| Voltaje del aislamiento | BVS | 2500 (CA, 1min., R.H.≤ el 60%) (Nota 1) | Vrms | ||
Nota: Usando continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de temperatura alta/actual/voltaje y el cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/actual/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos.
Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“dirigiendo”/de “de las precauciones que reduce la capacidad normal concepto y los métodos ") y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).
Nota 1: El dispositivo consideraba dos dispositivo terminal: Los pernos laterales del LED pusieron en cortocircuito juntos y los pernos del lado del detector puestos en cortocircuito juntos.
GaAs Ired y foto - transistor, regulador programable TLP504A-2
Carro de la investigación
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