Circuito integrado dual Ic TLC272CPWR de los amplificadores operativos de la precisión de Lincmos

Number modelo:TLC272CPWR
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:290PCS
Plazo de expedición:1 día
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Descripción

La precisión TLC272 y TLC277 que los amplificadores operativos duales combinan una amplia gama de entrada compensó grados del voltaje con la deriva compensada baja del voltaje, altos impedancia de entrada, de poco ruido, y las velocidades que se acercaban a los de los dispositivos de fines generales de BiFET. Estos dispositivos utilizan la tecnología del  de LinCMOS del silicongate de Texas Instruments, que provee de la estabilidad compensada del voltaje que excede lejos la estabilidad disponible procesos convencionales de la metal-puerta. La impedancia de entrada extremadamente alta, las corrientes diagonales bajas, y las altas tarifas de ciénaga hacen estos dispositivos rentables ideales para los usos reservados previamente para los productos de BiFET y de NFET. Cuatro grados compensados del voltaje están disponibles (C-sufijo y los tipos del Yo-sufijo), extendiéndose del TLC272 barato (10 milivoltio) al TLC277 de alta precisión (µV 500). Estas ventajas, conjuntamente con el buen rechazo del común-modo y rechazo del voltaje de fuente, toman estos dispositivos una buena decisión para los nuevos diseños avanzados así como para actualizar diseños existentes.


diagrama esquemático equivalente (cada amplificador


La información del microprocesador de TLC272Y este microprocesador, cuando está montada correctamente, exhibe las características similares al TLC272C. La compresión termal o la vinculación ultrasónica se puede utilizar en los cojines de vinculación del dopar-aluminio. Los microprocesadores se pueden montar con el epóxido conductor o un objeto semitrabajado del oro-silicio.

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