Transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, transistor de transferencia rápido de 100V 23A

Number modelo:IRF9540NPBF
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Poder del MOSFET del transistor de transferencia del canal IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P alto

Descripción

La quinta generación HEXFET s del rectificador internacional utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

Diseñan al D-Pak para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas que sueldan de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles de la disipación de poder hasta 1,5 vatios son posibles en usos superficiales típicos del soporte.



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Transistor del Mosfet del canal de IRF9540NPBF P, transistor de transferencia rápido de 100V 23A

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