Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Number modelo:IRF640NPBF
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Canal N 200V 18A del transporte de la INMERSIÓN de IRF640NPBF que cambia el transistor de poder del MOSFET
Descripción
El MOSFET s del poder del ® de la quinta generación HEXFET del rectificador internacional utiliza
técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente -
en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada
con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido
sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder
de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo
extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia
variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos
comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a
aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste
bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en
la industria.
La D2Pakesunpaquetesuperficialdelpoderdelsoportecapazdeacomodara
morirlostamañoshastaHEX-4. Proporcionalacapacidaddelpodermás
altoyelposiblemás
bajoenresistenciaencualquierpaquetesuperficialexistentedelsoporte.
LaD2Pakesconvenienteparalosusosde gran intensidaddebido
asuresistenciainternabajade laconexiónypuededisiparsehasta2.0Wenunusosuperficialtípicodelsoporte.
La versión del por-agujero (IRF640NL) está disponible para el uso
discreto.
Característica
l avanzó tecnología de proceso
l grado dinámico de dv/dt
l 175°C que actúa emperature de T
l transferencia rápida
l completamente avalancha clasificada
l facilidad de ser paralelo a
l requisitos simples de la impulsión
l sin plomo
Paquete
Transistor sin plomo del Mosfet del canal N, transistor de alta velocidad IRF640NPBF del Mosfet de 200V 18A
Carro de la investigación
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