Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF

Number modelo:IRLR7843TRPBF
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MOSFET del poder del transistor IRLR7843TRPBF TO-252 30V 161A para las telecomunicaciones y el uso industrial

IRLR7843PbF IRLU7843PbF

Descripción

Selección del MOSFET del poder para los convertidores sin aislar de DC/DC


Grados máximos absolutos

Parámetro

Máximo.

Unidades

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

30

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

± 20

Identificación @ TC = 25°C

Corriente continua del dren, VGS @ 10V

161f


Identificación @ TC = 100°C

Corriente continua del dren, VGS @ 10V

113f

IDM

Dren pulsado c actual

620

Paladio @TC = 25°C

Disipación de poder máxima g

140

W

Paladio @TC = 100°C

Disipación de poder máxima g

71

Factor que reduce la capacidad normal linear

0,95

W/°C

TJ TSTG

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

-55 to+175

°C

Temperatura que suelda, por 10 segundos

300 (1.6m m de caso)

Características

l RDS bajo mismo (encendido) en 4.5V VGS
l impedancia ultrabaja de la puerta
l caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha

Usos

l Buck Converters síncrono de alta frecuencia para el poder del procesador del ordenador
l convertidores aislados de alta frecuencia de DC-DC con la rectificación síncrona para las telecomunicaciones y el uso industrial
l sin plomo




China Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF supplier

Transistor de poder de alta frecuencia del Mosfet para las telecomunicaciones/el uso industrial IRLR7843TRPBF

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