IR2130STRPBF SOP28 3 conductor del MOSFET IGBT del conductor del puente de la fase

El IR 2109(4) (s) es MOSFET de alto voltaje, de alta velocidad del poder y los conductores de IGBT con el lado dependiente del cielo y tierra se refirieron a los canales de salida. HVIC propietarios y traban tecnologías inmunes del Cmos permiten la construcción monolítica construida sólidamente. La entrada de la lógica es compatible con salida estándar del Cmos o de LSTTL, abajo a la lógica 3.3V. Los conductores de la salida ofrecen una etapa de almacenador intermediario actual del alto pulso diseñada para la cruz-conducción mínima del conductor. El canal de flotación se puede utilizar para conducir un MOSFET o un IGBT del poder del canal N en la alta configuración lateral que actúa hasta 600 voltios.

Características dominantes

• Canal de flotación diseñado para la operación del tirante completamente - operativa a +600V tolerante al voltaje transitorio negativo dV/dt inmune
• Gama de la fuente de la impulsión de la puerta a partir del 10 a 20V
• Cierre del Undervoltage para ambos canales
• lógica de la entrada 3.3V, 5V y 15V compatible
• lógica de la prevención de la Cruz-conducción
• Retraso de propagación hecho juego para ambos canales
• Alta salida lateral en fase con EN la entrada
• Tierra de la lógica y del poder +/- compensación 5V.
• Muerto-tiempo 540ns, y programable internos hasta 5us con un resistor externo del RDT (IR21094)
• Un conductor más bajo de la puerta de di/dt para una mejor inmunidad de ruido
• La entrada cerrada apaga ambos canales.
• Disponible en sin plomo

Usos/aplicaciones

Conductores del MOSFET y de IGBT

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