aprobación del almacenamiento 24LC02BT-I/SN ROHS de la memoria/de datos del microprocesador de memoria Flash 2kbit EEPROM

Number modelo:24LC02BT-I/SN
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:100000pcs
Plazo de expedición:1-3days
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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24LC02BT-I/SN Chip de memoria flash de 2 kbit Memoria EEPROM y almacenamiento de datos

Número de parte

VCCRango

máx.Frecuencia de reloj

Temperatura.Rangos

Paquetes Disponibles

24AA02

1,7 V-5,5 V

400kHz(1)

I

P, SN, MS, ST, MC, LT, MNY, OT

24LC02B

2,5 V-5,5 V

400kHz

ES DECIR

P, SN, MS, ST, MC, LT, MNY, OT

24FC02

1,7 V-5,5 V

1 megaciclo

ES DECIR

P, SN, MS, ST, MUY, OT

Nota 1:100 kHz para VCC<2,5 V


DESCRIPCIONES GENERALES

Microchip Technology Inc. 24XX02(1) es una PROM eléctricamente borrable de 2 Kbit.El dispositivo está organizado como un bloque de memoria de 256 x 8 bits con una interfaz serial de 2 hilos.Su diseño de bajo voltaje permite un funcionamiento de hasta 1,7 V con corrientes en espera y activas de solo 1 μA y 1 mA, respectivamente.El 24XX02 también tiene una capacidad de escritura de página para hasta 8 bytes de datos.


CARACTERÍSTICAS
• Suministro único con funcionamiento hasta 1,7 V para dispositivos 24AAXX y 24FCXX, 2,5 V para dispositivos 24LCXX
• Tecnología CMOS de bajo consumo:
- Corriente de lectura 1 mA, máximo
- Corriente de espera 1 μA, máximo (I-temp.)
• Interfaz serial de 2 hilos, compatible con I2C
• Entradas de disparador Schmitt para supresión de ruido
• Control de pendiente de salida para eliminar el rebote del suelo
• Compatibilidad de 100 kHz, 400 kHz y 1 MHz
• Tiempo de escritura de página: 5 ms, máximo
• Ciclo de escritura/borrado de tiempo automático
• Búfer de escritura de página de 8 bytes
• Protección contra escritura de hardware
• Protección ESD >4,000V
• Más de 1 millón de ciclos de borrado/escritura
• Retención de datos >200 años
• Programación de fábrica disponible
• RoHS
• Rangos de temperatura:
- Industrial (I): -40°C a +85°C
- Extendido (E): -40°C a +125°C
• Automotriz AEC-Q100 calificado
Paquete
• DFN de 8 derivaciones, MSOP de 8 derivaciones, PDIP de 8 derivaciones, SOIC de 8 derivaciones, TDFN de 8 derivaciones, TSSOP de 8 derivaciones, UDFN de 8 derivaciones, SOT-23 de 5 derivaciones y SC-70 de 5 derivaciones

Pastilla:
24AA02T-I/SNG 24LC02BT/ST 24LC02BT/SN 24LC02B-E/SNG 24LC02B-E/P 24AA02/P 24LC02BT-I/STG
24LC02BT-I/SNG 24LC02B-I/STG 24LC02B-I/SNG 24AA02T-I/SN 24AA02T-I/OT 24AA02T-I/ST 24AA02-I/MS
24AA02-I/ST 24AA02-I/SN 24AA02-I/PG 24LC02BT-E/SNG 24AA02-I/MSG 24AA02T-I/STG 24LC02B/P 24AA02TI/MSG 24LC02B-I/MSG 24LC02B-E/SN 24LC02B-E/ ST 24LC02B-E/MS 24LC02B-I/ST 24LC02B-I/MS 24LC02BTE/MS 24LC02B-I/SN 24LC02BT-E/SN 24LC02BT-E/ST 24LC02B-I/PG 24LC02BT-E/OT 24AA02T-I/OTG
24AA02T/ST 24AA02T/SN 24AA02-I/STG 24AA02-I/SNG 24LC02B/ST 24AA02T-I/MS 24LC02B/SN 24LC02BTI/MSG 24LC02B-I/P 24LC02BT-I/OTG 24AA02-I/P 24LC02BT-I /OT 24LC02BT-I/MS 24LC02BT-I/ST 24LC02BTI/SN 24AA02/SN 24AA02/ST 24LC02BT-I/MNY 24LC02BT-I/LT 24LC02BT-E/LT 24LC02B-I/MNY 24LC02BTE/MNY 24AA02T-I/MNY 24AA0 2-yo /MNY 24LC02B-E/MNY 24AA02T-I/LT 24AA02T-I/MC 24LC02BT-I/MC 24FC02-
I/MS 24FC02T-I/ST 24FC02T-I/OT 24FC02-I/SN 24FC02-I/P 24FC02T-I/SN 24FC02T-I/MUY 24FC02-I/ST
24FC02T-I/MS 24FC02-E/SN 24FC02T-E/ST 24FC02-E/P 24FC02T-E/SN 24FC02T-E/MUY 24FC02-E/MS
24FC02T-E/OT 24FC02T-E/MS 24FC02-E/ST


China aprobación del almacenamiento 24LC02BT-I/SN ROHS de la memoria/de datos del microprocesador de memoria Flash 2kbit EEPROM supplier

aprobación del almacenamiento 24LC02BT-I/SN ROHS de la memoria/de datos del microprocesador de memoria Flash 2kbit EEPROM

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