MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
Number modelo:SI7139DP-T1-GE3
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Detalles de empaquetado:SOT223
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
CARACTERÍSTICAS
- MOSFETs del poder de TrenchFET®
- Clasificación material:
para las definiciones de la conformidad vea por favor www.vishay.com/doc?99912
RESUMEN DEL PRODUCTO | ||
VDS (v) | RDS (encendido) () | Identificación (a) |
-60 | 0,0145 en VGS = -10 V | -14,4 |
0,0190 en VGS = -4,5 V | -12,6 | |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente) | |||||
PARÁMETRO | SÍMBOLO | 10 s | DE ESTADO ESTACIONARIO | UNIDAD | |
Voltaje de la Dren-fuente | VDS | -60 | V | ||
Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ± 20 | |||
Corriente continua del dren (TJ = 150 °C) a | TA =25°C | Identificación | -14,4 | -8,6 | |
TA =70°C | -11,5 | -6,9 | |||
Corriente pulsada del dren | IDM | -60 | |||
Corriente de fuente continua (conducción) del diodo a | ES | -4,5 | -1,6 | ||
Corriente de la avalancha | L = 0,1 Mh | IAS | 50 | ||
Sola energía de la avalancha del pulso | EAS | 125 | mJ | ||
Disipación de poder máxima a | TA =25°C | Paladio | 5,4 | 1,9 | W |
TA =70°C | 3,4 | 1,2 | |||
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | -55 a +150 | °C | ||
Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) b, c | 260 | ||||
GRADOS DE LA RESISTENCIA TERMAL | |||||
PARÁMETRO | SÍMBOLO | TÍPICO | MÁXIMO | UNIDAD | |
A Empalme-a-ambiente máxima | 10 s de t | RthJA | 18 | 23 | °C/W |
De estado estacionario | 52 | 65 | |||
Empalme-a-caso máximo (dren) | De estado estacionario | RthJC | 1 | 1,3 | |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 del transistor de poder del Mosfet SI7461DP-T1-GE3
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