MOD nana sin aislar de los convertidores 650mA del transistor de poder del Mosfet de LMZ10500SILR DC/DC con VINTAGE de 5.5V Max Inpt

MOD nana sin aislar de los convertidores 650mA del transistor de poder del Mosfet de LMZ10500SILR DC/DC con VINTAGE de 5.5V Max Inpt

Características 1

• Corriente de salida hasta 650 mA

• El voltaje entrado se extiende 2,7 V a 5,5 V

• Gama 0,6 V a 3,6 V del voltaje de salida

• Eficacia el hasta 95%

• Inductor integrado

• huella del microSiP 8-Pin

• – 40°C a la gama de temperaturas de empalme 125°C

• Voltaje de salida ajustable

• 2-MHz fijó frecuencia que cambiaba de PWM

• Remuneración integrada

• Función del Suave-principio

• Protección actual del límite

• Protección termal del cierre

• Voltaje entrado UVLO para el ciclo inicial, el poder-Abajo, y las condiciones del apagón

• Solamente 5 componentes externos — Divisor del resistor y 3 condensadores de cerámica

• Pequeño tamaño de la solución

• Ondulación baja del voltaje de salida

• Selección componente fácil y disposición simple del PWB

• La eficacia alta reduce la generación de calor del sistema

2 usos

• Punto de las conversiones de la carga de los carriles 3.3-V y 5-V

• El espacio obligó usos • Usos bajos del ruido de la salida

Descripción 3

El módulo nano LMZ10500 es una solución descender fácil de usar de DC/DC capaz de conducir la carga de hasta 650 mA en usos espacio-obligados. Solamente un condensador de la entrada, un condensador de la salida, un pequeño condensador del filtro de VCON, y dos resistores se requieren para la operación básica. El módulo nano viene en un paquete de la huella del μSiP de 8 pernos con un inductor integrado. El límite actual interno basó la función del suave-principio, protección contra sobrecarga actual, y el cierre termal también se proporciona.

Información del dispositivo