MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A
Number modelo:CSD18501Q5A
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
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Detalles de empaquetado:DFN56
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Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Nivel de la lógica
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Conversión de DC-DC
Rectificador síncrono lateral secundario
Control del motor de acumuladores
Descripción 3
Este 40 V, 2,5 mΩ, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se han diseñado para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 40 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 20 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 5,9 | nC | |
RDS (encendido) | En-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 4,5 V | 3,3 | mΩ |
VGS =10V | 2,5 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,8 | V | |
Información el ordenar (1)
Dispositivo | Qty | Medios | Paquete | Nave |
CSD18501Q5A | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros | Cinta y carrete |
CSD18501Q5AT | 250 | carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 40 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Identificación | Corriente continua del dren (paquete limitado) | 100 | |
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C | 161 | ||
Continuo drene (1) actual | 22 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren (2) | 400 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 3,1 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 150 | ||
TJ, Tstg | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =68A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 231 | mJ |
MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18501Q5A
Carro de la investigación
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