MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
Number modelo:CSD17556Q5B
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:VSON-8
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
Características 1
- Extremadamente - resistencia baja
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia Bajo-termal
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal sin plomo
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Punto del dólar síncrono de la carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Rectificación síncrona
Usos activos del anillo o y del Hotswap
Descripción 3
Este 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET del poder de 5 del milímetro milímetros NexFETTM del × 6 se diseña para minimizar pérdidas en la rectificación síncrona y otros usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 30 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 7,5 | nC | |
RDS (encendido) | En-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 4,5 V | 1,5 | mΩ |
VGS =10V | 1,2 | |||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,4 | V | |
Información del dispositivo
DISPOSITIVO | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD17556Q5B | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros | Cinta y carrete |
CSD17556Q5BT | 250 |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Identificación | Continuo drene la corriente (Package Limited) | 100 | |
Continuo drene la corriente (Silicon Limited), TC = 25°C | 215 | ||
Corriente continua del dren (1) | 34 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (1) (2) | 400 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 3,1 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 191 | ||
TJ, Tstg | Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =100A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 500 | mJ |
MOSFETs del poder del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor de poder del Mosfet de CSD17556Q5B
Carro de la investigación
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