MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2
Number modelo:CSD13202Q2
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:WSON-6
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal sin plomo
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 2 milímetros de × paquete plástico de 2 milímetros
2 usos
Optimizado para los usos del interruptor de la carga
Almacenamiento, tabletas, y dispositivos de bolsillo
Optimizado para los usos del FET del control
Punto de la carga Buck Converters síncrono
Descripción 3
Este 12-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,5 mΩ se ha diseñado para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la conversión y de la carga de poder. El funcionamiento termal excelente de las ofertas del × 2 del HIJO 2 para el tamaño del paquete.
Resumen del producto
TA = 25°C | VAUE TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 12 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 5,1 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 0,76 | nC | |
RDS (encendido) | En-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 2,5 V | 9,1 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 7,5 | |||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 0,8 | V | |
Información del dispositivo
DISPOSITIVO | MEDIOS | QTY | PAQUETE | NAVE |
CSD13202Q2 | carrete 7-Inch | 3000 | HIJO 2,00 milímetros de × paquete plástico de 2,00 milímetros | Cinta y carrete |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 12 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±8 | V |
Identificación | Corriente continua del dren (límite del paquete) | 22 | |
Corriente continua del dren (1) | 14,4 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) | 76 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 2,7 | W |
TJ, TSTG | Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =20A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 20 | mJ |
MOSFET 12V 9.3mohm del poder del MOSFET N-CH del reloj del transistor de poder del Mosfet CSD13202Q2
Carro de la investigación
0