Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg
Number modelo:CSD17308Q3
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:SON8
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET del MOSFET 30V NCh NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T
Características 1
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5-V
Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
VSON 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros
2 usos
Punto del cuaderno de la carga
Dólar síncrono de la Punto-de-carga en establecimiento de una red, telecomunicaciones, y sistemas de cálculo
Descripción 3
Este 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 MOSFET del poder del milímetro VSON NexFETTM del × 3,3 del milímetro se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder y se optimiza para los usos de la impulsión de la puerta 5-V.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | ||
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4,5 V) | 3,9 | nC | |
Qgd | Puerta de la carga de la puerta a drenar | 0,8 | nC | |
RDS (encendido) | Dren-a-fuente en resistencia | VGS = 3 V | 12,5 | mΩ |
VGS = 4,5 V | 9,4 | mΩ | ||
VGS = 8 V | 8,2 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,3 | V | |
Información el ordenar
DISPOSITIVO | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD17308Q3 | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros | Cinta y carrete |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C salvo que se indique lo contrario | VALOR | UNIDAD | |
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | 30 | V |
VGS | voltaje de la Puerta-a-fuente | +10/– 8 | V |
Identificación | Continuo drene la corriente (Package Limited) | 50 | |
Corriente continua del dren, TC = 25°C | 44 | ||
Corriente continua del dren (1) | 14 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) | 167 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 2,7 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 28 | ||
TJ, Tstg | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =36A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 65 | mJ |
Resistencia termal baja ultrabaja de Circuit NCh NexFET Pwr del conductor del motor del Mosfet de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg
Carro de la investigación
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