Diodos y rectificadores 2A 60V de Schottky del transistor de poder del Mosfet de SS26T3G

Number modelo:SS26T3G
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
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Detalles de empaquetado:DO-214A
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Diodos y rectificadores 2A 60V de Schottky del transistor de poder del Mosfet de SS26T3G


Características

  • El paquete compacto con J−Bend lleva el ideal para la dirección automatizada

  • Empalme apaciguado óxido altamente estable

  • Guardring para la protección de la sobretensión

  • Caída de voltaje delantera baja

  • Prefijo de NRVB para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101 calificado y PPAP Capable*

  • El paquete de Pb−Free está disponible


Características mecánicas:

  • Caso: Epóxido moldeado

  • UL de epoxy 94, V−O de las reuniones en 0,125 adentro

  • Peso: magnesio 95 (aproximadamente)

  • Banda de la polaridad del cátodo

  • Temperatura superficial de la ventaja y de montaje para los propósitos que sueldan:

    máximo 260°C por 10 segundos

  • Disponible en la cinta de 12 milímetros, 2500 unidades por carrete del ′ de 13 ′, añada el sufijo “T3”

    al número de parte

  • Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y terminal

    Las ventajas son fácilmente Solderable

  • Grados del ESD: Modelo del cuerpo humano = 3B

    Modelo de máquina = C

  • Marca: SS26

INFORMACIÓN EL ORDENAR

Dispositivo

Paquete

† Del envío

SS26T3G

SMB (Pb−Free)

2500 / Cinta y carrete

NRVBSS26T3G*

SMB (Pb−Free)

2500 / Cinta y Ree

China Diodos y rectificadores 2A 60V de Schottky del transistor de poder del Mosfet de SS26T3G supplier

Diodos y rectificadores 2A 60V de Schottky del transistor de poder del Mosfet de SS26T3G

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