Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220
Number modelo:STP110N8F6
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:TO-220
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
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Dentro de 48 Horas
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Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220
Características
Código de orden | VDS | RDS (encendido) máximo | Identificación | PTOT |
STP110N8F6 | 80 V | 0,0065 Ω | 110 A | 200 W |
En-resistencia muy baja
Carga baja misma de la puerta
Alta aspereza de la avalancha
Apagón bajo de la impulsión de la puerta
Usos
• Usos que cambian
Descripción
Este dispositivo es un MOSFET del poder del canal N se convirtió usando la tecnología de STripFETTM F6 con una nueva estructura de la puerta del foso. El MOSFET resultante del poder exhibe el RDS muy bajo (encendido) en todos los paquetes.
Transistor de poder del Mosfet STP110N8F6 110 A, MOSFET del poder de STripFET F6 en un paquete TO-220
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