China  supplier

Number modelo:CSD18504Q5A
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
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Detalles de empaquetado:SON8
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET del poder de NexFET del canal N del MOSFET 40V del transistor de poder del Mosfet de CSD18504Q5A


Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos
  • Resistencia termal baja

  • Avalancha clasificada

  • Nivel de la lógica

  • Galjanoplastia terminal libre del Pb

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros


2 usos

  • Conversión de DC-DC

  • Rectificador síncrono lateral secundario

  • Control del motor de acumuladores


Descripción 3

Este 5,3 mΩ, × del HIJO 5 6 milímetros, MOSFET del poder de 40 V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.


Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

40

V

Qg

Total de la carga de la puerta (4,5 V)

7,7

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

2,4

nC

RDS (encendido)

En-resistencia de la Dren-a-fuente

VGS = 4,5 V

7,5

VGS =10V

5,3

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,9

V


Información el ordenar

Dispositivo

Qty

Medios

Paquete

Nave

CSD18504Q5A

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros

Cinta y carrete

CSD18504Q5AT

250

carrete 7-Inch


Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

40

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (paquete limitado)

50

Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C

75

Corriente continua del dren (1)

15

IDM

Corriente pulsada del dren (2)

275

Paladio

Disipación de poder (1)

3,1

W

Disipación de poder, TC = 25°C

77

TJ, Tstg

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =43A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

92

mJ

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