Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

Number modelo:CSD18540Q5B
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Detalles de empaquetado:VSON8
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET 60V, MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD18540Q5B de NexFET Pwr del canal N


Características 1

  • Qg y Qgd ultrabajos
  • Resistencia Bajo-termal

  • Avalancha clasificada

  • Galjanoplastia terminal sin plomo

  • RoHS obediente

  • Halógeno libre

  • HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros


2 usos

  • Conversión de DC-DC

  • Rectificador síncrono lateral secundario

  • Interruptor lateral primario aislado del convertidor

  • Control de motor


Descripción 3

Este 1,8 mΩ, MOSFET del poder de 60-V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder con un HIJO 5 milímetros de × paquete de 6 milímetros.


Resumen del producto

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

Qg

Total de la carga de la puerta (10 V)

41

nC

Qgd

Puerta-a-dren de la carga de la puerta

6,7

nC

RDS (encendido)

Dren-a-fuente en resistencia

VGS = 4,5 V

2,6

VGS =10V

1,8

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,9

V


Información del dispositivo

DISPOSITIVO

QTY

MEDIOS

PAQUETE

NAVE

CSD18540Q5B

2500

carrete 13-Inch

HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros

Cinta y carrete

CSD18540Q5BT

250

carrete 7-Inch


Grados máximos absolutos

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Voltaje de la Dren-a-fuente

60

V

VGS

Voltaje de la Puerta-a-fuente

±20

V

Identificación

Corriente continua del dren (Package Limited)

100

Corriente continua del dren (Silicon Limited), TC = 25°C

205

Corriente continua del dren (1)

29

IDM

Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2)

400

Paladio

Disipación de poder (1)

3,8

W

Disipación de poder, TC = 25°C

188

TJ, Tstg

Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento

– 55 a 175

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =80A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

320

mJ

China Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N supplier

Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N

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