Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N
Number modelo:CSD18540Q5B
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:VSON8
Contacta
Add to Cart
Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET 60V, MOSFET del transistor de poder del Mosfet de CSD18540Q5B de NexFET Pwr del canal N
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia Bajo-termal
Avalancha clasificada
Galjanoplastia terminal sin plomo
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Conversión de DC-DC
Rectificador síncrono lateral secundario
Interruptor lateral primario aislado del convertidor
Control de motor
Descripción 3
Este 1,8 mΩ, MOSFET del poder de 60-V NexFETTM se diseña para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder con un HIJO 5 milímetros de × paquete de 6 milímetros.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 60 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (10 V) | 41 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 6,7 | nC | |
RDS (encendido) | Dren-a-fuente en resistencia | VGS = 4,5 V | 2,6 | mΩ |
VGS =10V | 1,8 | |||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,9 | V | |
Información del dispositivo
DISPOSITIVO | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD18540Q5B | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 5,00 milímetros de × paquete plástico de 6,00 milímetros | Cinta y carrete |
CSD18540Q5BT | 250 | carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Voltaje de la Dren-a-fuente | 60 | V |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Identificación | Corriente continua del dren (Package Limited) | 100 | |
Corriente continua del dren (Silicon Limited), TC = 25°C | 205 | ||
Corriente continua del dren (1) | 29 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) | 400 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 3,8 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 188 | ||
TJ, Tstg | Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento | – 55 a 175 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =80A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 320 | mJ |
Transistores del Mosfet del poder de CSD18540Q5B RF, MOSFET de NexFET Pwr del circuito del Mosfet del canal N
Carro de la investigación
0