Conductor Circuit, transistores del Mosfet del poder de CSD25402Q3A 650 milivoltio del Mosfet del poder más elevado
Number modelo:CSD25402Q3A
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
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Detalles de empaquetado:VDFN8
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET del MOSFET P-CH Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD25402Q3A
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
RDS bajo (encendido)
Pb y halógeno libres
RoHS obediente
HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros
2 usos
Convertidores de DC-DC
Gestión de la batería
Interruptor de la carga
Protección de la batería
Descripción 3
Este – 20-V, MOSFET del poder de NexFETTM de 7,7 mΩ se diseña para minimizar pérdidas en usos de la gestión de la carga de la conversión de poder con un HIJO 3,3 milímetros de × el paquete de 3,3 milímetros que ofrece un funcionamiento termal excelente para el tamaño del dispositivo.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | – 20 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (– 4,5 V) | 7,5 | nC | |
Qgd | Puerta de la carga de la puerta a drenar | 1,1 | nC | |
RDS (encendido) | Dren-a-fuente en resistencia | VGS = – 1,8 V | 74 | mΩ |
VGS = – 2,5 V | 13,3 | mΩ | ||
VGS = – 4,5 V | 7,7 | mΩ | ||
Vth | Voltaje del umbral | – 0,9 | V | |
Información el ordenar (1)
DISPOSITIVO | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD25402Q3A | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 3,3 milímetros de × paquete plástico de 3,3 milímetros | Cinta y carrete |
CSD25402Q3AT | 250 | carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | – 20 | V |
VGS | voltaje de la Puerta-a-fuente | +12 o – 12 | V |
Identificación | Corriente continua del dren, TC = 25°C | – 76 | |
Corriente continua del dren (límite del paquete) | – 35 | ||
Corriente continua del dren (1) | – 15 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren (2) | – 148 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 2,8 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 69 | ||
TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento | – 55 a 150 | °C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
Conductor Circuit, transistores del Mosfet del poder de CSD25402Q3A 650 milivoltio del Mosfet del poder más elevado
Carro de la investigación
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